ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra mikroelektroniky SEMESTRÁLNÍ PROJEKT X34BPJ



Podobné dokumenty
výkonovou hustotu definovat lze (v jednotkách W na Hz). Tepelný šum (thermal noise) Blikavý šum (flicker noise)

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

Fotoelektrické snímače

Úvod, optické záření. Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

MATEMATIKA II V PŘÍKLADECH

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Opakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu

Charakteristiky optoelektronických součástek

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

VARIFLEX. 0,25 až 4 kw.

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Fyzikální podstata fotovoltaické přeměny solární energie

Seznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice

5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače (rozšířená osnova)

Elektronické a optoelektronické součástky

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),

11. Polovodičové diody

Signál. Pojmem signál míníme většinou elektrickou reprezentaci informace. měřicí zesilovač. elektrický analogový signál, proud, nebo většinou napětí

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

INOVACE PŘEDNÁŠEK KURZU Fyzikální chemie, KCH/P401

Ing. Pavel Hrzina, Ph.D. - Laboratoř diagnostiky fotovoltaických systémů Katedra elektrotechnologie K13113

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

Modulace a šum signálu

Postup tvorby studijní opory

PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA 1.1. GEOMETRICKÉ VLASTNOSTI BUDOVY 1.2. CHARAKTERISTIKA STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

Optoelektronické polovodičové součástky

Praktikum III - Optika

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Diplomové a ročníkové práce ve spolupráci se společností ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm

Stacionární kondenzační kotle. Tradice, kvalita, inovace, technická podpora.

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaiser, Emil Košťál xkaiserj@feld.cvut.cz

ELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

9/12/2012. Budicí obvody VPS - drivers. Budicí obvody VPS - drivers obsah prezentace. Požadavky na budicí obvody VPS. Budicí obvod

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

1. Okrajové podmínky pro tepeln technické výpo ty

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =

MATEMATICKÝ MODEL POHODLÍ CESTUJÍCÍCH NA LINCE VEŘEJNÉ HROMADNÉ DOPRAVY

2. Elektrotechnické materiály

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky optoelektronických součástek

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA

Senzory ionizujícího záření

Vysokofrekvenční obvody s aktivními prvky

Fyzika. 8. ročník. LÁTKY A TĚLESA měřené veličiny. značky a jednotky fyzikálních veličin

Studium tranzistorového zesilovače

Tepelné soustavy v budovách - Výpočet tepelného výkonu ČSN EN Ing. Petr Horák, Ph.D.

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout.

REGULACE. Rozvětvené regulační obvody. rozvětvené regulační obvody dvoupolohová regulace regulační schémata typických technologických aparátů

TECHNICKÁ DOKUMENTACE

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV RADIOELEKTRONIKY. OPTICKÝ SPOJ LR-830/1550 Technický popis

Základy elektrotechniky

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

hledané funkce y jedné proměnné.

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Polovodičové diody Definice

Detektory optického záření

H - Řízení technologického procesu logickými obvody

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

2 e W/(m2 K) (2 e) = (1 0.85)(1 0.2) = Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami

do magisterské etapy programu ELEKTRONIKA A KOMUNIKACE

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

25 A Vypracoval : Zdeněk Žák Pyrometrie υ = -40 C C. Výhody termovize Senzory infračerveného záření Rozdělení tepelné senzory

Novinky pro výuku vláknové optiky a optoelektroniky

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4

Senzor může být připojen ke všem měřícím rozhraním platformy einstein.

VacL. Akustická studie doba dozvuku. Sportovní hala ZŠ, Černošice. Zpracováno v období: Srpen Zakázka číslo:

Měřící a senzorová technika

Spínací a vzorkovací obvody, referenční zdroje

SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA.

Laboratorní úloha KLS 1 Vliv souhlasného rušení na výsledek měření stejnosměrného napětí

Předmět: FYZIKA Ročník: 6.

Struktura a architektura počítačů

ZÁKLADNÍ POJMY KVANTOVÉ FYZIKY, FOTOELEKTRICKÝ JEV. E = h f, f je frekvence záření, h je Planckova

ELEKTRONIKA PRO ZPRACOVÁNÍ SIGNÁLU

Vlastnosti a modelování aditivního

Transkript:

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katdra mikrolktroniky SEESTRÁLNÍ PROJEKT X34PJ 0 Ptr Koukal X34PJ Pag

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katdra mikrolktroniky Optické přijímač Smstrální projkt Vdoucí prác: Doc. Ing. Zdněk urian, CSc. Studnt: Ptr Koukal X34PJ Pag

Úvod Progrsivní rozvoj lktroniky způsobil, ž zaujala výlučné místo v oblasti zpracovávání informací. Pokrok v výrobní tchnologii polovodičů, ultračistých matriálů a dokonalých monokrystalů odhalil nové možnosti optických spktr zářní a optických principů zpracování signálů v lktronických systémch přnosu, transformac, záznamu či zobrazní informac. Optické principy zpracování informac skýtají na rozdíl od lktronického zpracování několik výhod, dosahují totiž vyšší kvality z hldiska rychlosti a objmu zpracované informac. Ryzí optické systémy však přdvším z matriálních důvodů njsou možné. Optolktronika j tchnická disciplína zabývající s soustavami pro zpracování optických a lktrických signálů využitím lktronických a optických mtod v snaz vyzdvihnou jjich přdnosti a potlačit ndostatky.optolktronické prvky využívají poznatky přdvším z vědního oddílu fyziky-lktrooptiky a tortické lktrotchniky.optické zářní pak buď ns informaci,nbo slouží k zprostřdkování požadované transformac, záznamu či zobrazní informac. Optické přijímač. Transimpdanční přijímač: Tranzistor JFET potlačuj vliv vstupní kapacity zsilovač. Tranzistor JFET obr. Vysokoimpdanční přijímač simulac v programu Orcad 9..3 Vysokoimpdanční optolktronický přijímač X34PJ Pag 3

obr. Principiální zapojní transimpdančního přijímač obr. Transimpdanční přijímač simulac v programu Orcad 9..3 X34PJ Pag 4

Šumy šumy na dtktoru: Názv šumu Příčina Způsob odstranění atmatický popis / f Zjména Dokonalá pasivac výměna povrchu, nábojů mzi objmm a povrchovými stavy; výměna nábojů na nrgtických hladinách potnciálová bariéra u povrchu; vrtikální optimalizacstruktury bzdislokační polovodič pracovat s kmitočtny nad bodm zlomu uvnitř zakázaného pásu-hluboké úrovně Výstřlový (dtktory s přchodm) Gnračně rkombinační (fotorzistor) Tplný Johnsonův Náhodný průchod nosičů náboj rozhraním Náhodná gnrac a rkombinac nosičů náboj Fluktuac náboj tlpným pohybn nosičů náboj Nlz Pracovat s kmitočty nad kmitočtm zlomu f kd j doba života nosičů náboj Snížní tploty Nv N gr ir 0 N N 4kT d 0 N v 0U d 0 X34PJ Pag 5

Náhradní linární obvody pro řšní šumových poměrů NLO TRANSIPEDANČNÍ OPTICKÝ PŘIJÍAČ NLO VYSOKOIPEDANČNÍ OPTICKÝ PŘIJÍAČ Náhradní linární obvody pro řšní dynamických poměrů X34PJ Pag 6

NLO TRANSIPEDANČNÍ OPTICKÝ PŘIJÍAČ NLO VYSOKOIPEDANČNÍ OPTICKÝ PŘIJÍAČ X34PJ Pag 7

X34PJ Pag 8 Optimalizac šumových poměrů: I.Přijímač s lavinovou fotodiodou II.Kohrntní přijímač III.Přijímač s optickým přdzsilovačm Přijímač s lavinovou fotodiodou: Výpočty inimální výkon dtkovatlný idálním dtktorm: SNR h P sid inimální výkon dtkovatlný lavinovou fotodiodou: * APD sid sapd F P P 4 * m SNR N F i R T k SNRF m m SNR N las APD z APD las Nastavní pro minimální dtkovatlný výkon: x poz t opt k optim i i h P x G T k 4 Hodnota x v firmním katalogu nní uváděna odhad z katalogových údajů: i h NEP i h NEP x ln ln

apd PN PN.4 Konstanty názv hodnota poznámka Elmntární náboj 9.6 0 C h Planckova k. 34 6.63 0 Js k oltzmanova k. 3.380 JK Výpočt pro konkrétní lavinovou fotodiodu: Paramtr Hodnota Názv 0.3AW PN APD 75AW Hz NEP 0. 5 3pW / Hz I 50 na I 0 R TN k N 0 las,0,00,k,0k, 00k Pracovní odpor apd PN 75 0.3 50 PN.4.4 0.3 0.37 Kd j kvantová účinnost Pak odhadnm paramtr x jnž nní v katalogu: X34PJ Pag 9

i NEP ln h x NEP i h ln.60 9 ln 9 0.37.60 30 34 8 6.63 0 3 0 9 6 0.37.60 0 30 34 8 6.630 30 500 9 ln 50,989793 V PŘÍLOZE A NA É WEU JE EXCELOVSKÝ SOUOR URČENÝ PRO VÝPOČET PARAETRU X optim x 4 kb T G Popt x i h k t i poz Rk opt 60 0 3 00 5 k 8 0k 4. 00k. X34PJ Pag 0