1 Šum. 1.1 Definice šumu
|
|
- Zbyněk Kolář
- před 6 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 1 Šu 1.1 Defie šuu Šu je nežádouí rušivý signál (napětí, proud), který á původ v tepelnýh a kvantovýh jeveh. I když jde o náhodný signál, dá se poěrně dobře ateatiky popsat. Šu (například šuové napětí) se dá vyjádřit pooí integrální hodnoty která odpovídá definovanéu kitočtovéu pásu f = f f 1. Jeho hodnota se dá praktiky zěřit pooí ikrovoltetru, který á na vstupu pásovou propust o loovýh kitočteh f a f 1. Šu lze vyjádřit i pooí takzvané šuové spektrální hustoty. Poje spektrální šuové hustoty se dá dobře pohopit na prinipu, jaký ji ěří spektrální analyzátor. Jde o pásovou propust o veli alé šíře pása f. ato propust projíždí zvolený kitočtový rozsah a ěří při to integrální hodnotu šuu, například napětí V N, která odpovídá její šíře pása f. Šuová spektrální hustota v n se pak určí vztahe: VN VN vn = ideálně vn = li [ V / Hz ] (1.1) f f 0 f obr. 1: Šuové spektru Petr Kadaňka
2 1. Nekorelované a korelované šuové zdroje (příspěvky) Pojy korelovaný a nekorelovaný šuový příspěvek jsou vysvětleny na následujíí obrázku: obr. : Nekorelované a korelované šuové příspěvky Šuové proudy i n1 a i n jsou na sobě nezávislé (nekorelované). Jsou to náhodné veličiny. Šuový proud i n je poto součte nekorelovanýh šuovýh proudů i n1 a i n, které se sčítají takto: i = i + i (1.) n n1 n oto sčítání á jednu zajíavou vlastnost. Pokud je hodnota šuového příspěvku enší než polovina nejvýznanějšího příspěvku, dá se zanedbat, protože platí: i n = + 1,1 i i i i (1.3) Šuový proud i n protéká odpory R 1 a R a na h vytváří napěťové (šuové) úbytky v n1 a v n : n1 = R1 in, n v v = R i (1.4) n yto úbytky v n1 a v n jsou přío úěrné proudu i n, jsou takzvaně korelované a jejih součet (šuové napětí v n ) je dán prostý součte složek v n1 a v n : ( ) v = v + v = i R + i R = i R + R (1.5) n n1 n n 1 n n 1 Petr Kadaňka 3
3 1.3 Vztah ezi spektrální šuovou hustotou a integrální hodnotou šuu v pásu f 1 f Kitočtové páso f 1 f rozdělíe na difereniály f podle následujíího obrázku: obr. 3: Spektrální hustota a integrální hodnota šuu Šuové příspěvky v difereniáleh kitočtového pása f jsou na sobě nezávislé, jsou tedy nekorelované. Integrální hodnota V Ni daného difereniálu f i se spočítá jako: V = v f (1.6) Ni Celková integrální hodnota šuu V N v pásu f 1 f se pak spočítá jako součet všeh nekorelovanýh příspěvků odpovídajííh příslušný difereniálů f. V = v f + v f + + v f = ( ) ( 1 ) ( )... 1 f n n ( nn ) N f ( 1... ) n n n nn i= 1 = v + v + v f = v f f 0 V = v df ( 1 f ) N f f n (1.7) f1 Petr Kadaňka 4
4 1.4 Defie bílého šuu a 1/f šuu Reálné kitočtové spektru šuové hustoty běžnýh elektrokýh prvků (odpory, osové a bipolární tranzistory) á následujíí průběh (šuové napětí): obr. 4: Reálné šuové spektru Jako oblast bílého šuu se označuje ta část kitočtového pása, v níž je spektrální hustota šuu konstantní, kitočtově nezávislá (v n0 ). V oblasti 1/f šuu je spektrální hustota šuu nepřío úěrná druhé odoně kitočtu, tedy vn 1 f. Vztah pro šuovou hustotu v elé kitočtové pásu pak á tvar: fk vn = vn0 1+ (1.8) f kde f K je tzv. loová frekvene 1/f šuu Integrální hodnota šuu V N v pásu f 1 f je poto: f f fk V ( 1 ) vn df vn0 1 df N f f f f1 f 1 = = + = ( ) ln = vn0 f f1 + fk a je-li f f1 f1 V v f f f ln f >> pak ( ) = 1 n0 + N f f K (1.9) f1 Petr Kadaňka 5
5 Poloha loové frekvene 1/f šuu (f K ) je kritiká pro nízkošuový návrh.v dané kitočtové oblasti f 1 f by šuový příspěvek 1/f šuu ěl být zanedbatelný proti šuovéu příspěvku odpovídajííu bíléu šuu. Podle poznatku (1.) o sčítání nekorelovanýh příspěvků ůžee pro zanedbání 1/f šuu odvodit: f fk ln < 0, 5 f (1.10) f 1 Pokud je splněna tato nerovnost, je šuový příspěvek 1/f šuu zanedbatelný. Ze vztahu (1.10) poto odvodíe: 0,5 f fk < (1.11) f ln f Např. pro nízkošuový návrh v pásu f 1 =10Hz f =100kHz by pak ělo platit: 1 5 0,5 f 0,5 10 f < f < f <,7kHz (1.1) K 4 f ln K ln10 K f 1 Pak je příspěvek 1/f šuu zanedbatelný (zvýší výsledný šu jen asi o desetinu): s 1/f šue bez 1/f šuu v = v 10 +, 7 10 ln10 v 353 (1.13) n n0 n0 v = v 10 v 316 (1.14) 5 n n0 n0 1.5 Šu odporu Šu odporu se dá definovat pooí zdroje šuového napětí, který je v sérii s daný odpore: vnr = 4 k R (1.15) obr. 5: Šuové napětí odporu Petr Kadaňka 6
6 Nebo pooí proudového zdroje, který je připojen paralelně k danéu odporu: i nr VnR 4k R 4k = = = (1.16) R R R obr. 6: šuový proud odporu 1.6 Šu osového tranzistoru Šuové paraetry osového tranzistoru jsou definovány jediný šuový zdroje proudový šue i nd, který se odeluje jako zdroj proudu i nd paralelně k osovéu tranzistoru. i nd = 4k g (1.17) CH kde g CH je vodivost kanálu obr. 7: Šuový proud MOS tranzistoru Naprosto klíčový poznatke je, že gch g, tedy že vodivost kanálu je dána transkonduktaní g. i = 4kg (1.18) nd Poznáka: Občas se v literatuře vyskytuje vztah (1.18) ve tvaru i = 4k γ g kde γ 3 pro tranzistory s dlouhý kanále. Hodnota γ se ění i s drainový napětí. V této přednáše se používá hodnota γ = 1, protože víe odpovídá reálně naěřený hodnotá. nd Z praktikýh důvodů je někdy užitečné převést šuový proud na vstup (gate) jako vstupní šuové napětí v : i nd nd = = (1.19) g i g v v obr. 8: Přepočet šuového proudu i nd do šuového napětí v v i nd = g 4k v = (1.0) g Petr Kadaňka 7
7 Šu MOS tranzistoru pro silnou inverzi v 4k = (1.1) g w g = Id k p (1.) l 4k 16k l v = = 4 = k = V q w Id k p w Id k p l v = 8V q 4 l I k w d p (1.3) Šu MOS tranzistoru pro slabou inverzi v 4k 4V q = = (1.4) g g g I d = (1.5) n V v 4V q 4V n q n q = = = V Id Id Id n V (1.6) Kitočet lou 1/f šuu je pro běžné osové tranzistory poěrně vysoký (stovky Hz až jednotky khz), proto nejsou osové tranzistory příliš vhodné pro nízkošuové aplikae v oblasti veli nízkýh kitočtů. Kitočet lou 1/f šuu je ovlivněn i rozěry tranzistoru. Paraetr n ve vztahu (1.6) určuje hrai VGS β ezi silnou a slabou inverzí: Jeho hodnota je větší než 1, běžná hodnota n. V = GS V + β H n V (1.7) Petr Kadaňka 8
8 1.7 Šuové vlastnosti proudového zradla (MOS) Syetriké proudové zradlo i je šuový proud referenčního zdroje proudu i, i jsou šuové proudy tranzistorů M 1 a M n1 n ( in 1 in in = = ) obr. 9: Šu syetrikého proudového zradla Součet nekorelovanýh složek i a in 1 ( i in 1 ) nekorelovaná složka sečte s šuový proude in tranzistoru M. Pro stejné tranzistory platí i 1 = i = i ( ) + se přenese na výstup (drain M ) a ta se jako i = i + i + i = i + i + i (1.8) no n1 n n1 n n n n i = i + i (1.9) no n Pro silnou inverzi (výpočet proudu i n ): w in = 4 V q g, g = Id k p l 4 4 w w i = n V q Idk p 16V q Id k p l = l 4 w in = V q Id k p (1.30) l Silná inverze uožňuje navrhnout proudové zradlo s nízký šue použijí se tranzistory s alý g tedy dlouhé a úzké kanály. Délka kanálu l uožní snížit vlastní šu proudového zradla nezávisle na proudu I d. Dlouhé kanály také často přispějí k dobréu souběhu (přesnosti zradla). Nevýhodou je jen větší V GS a větší ploha zradla. Petr Kadaňka 9
9 Pro slabou inverzi (výpočet proudu i n ): Id in = 4 V q g, g = n V Id q I in = 4V q = n V n d (1.31) Slabá inverze neuožňuje snížit šuový proud zradla nezávisle na proudu I d. Z tohoto pohledu je vhodnější použít silné inverze. Použití dlouhýh a úzkýh kanálů se většinou podaří dosáhnout silné inverze a tí snížit g beze zěny proudu I d Násobné proudové zradlo (násobný poěr p) obr. 10: Šu násobného proudového zradla i - šuový proud zdroje referenčního proudu i - šuové proudy tranzistorů zradla i n n1 = i n Petr Kadaňka 10
10 Součet nekorelovanýh šuovýh složek i a n1 i ( i in1 ) + se přenese na výstup (spojené drainy výstupníh tranzistorů) tak, že se vynásobí přenose zradla p. Na výstupu se nekorelovaně sečte s nekorelovaný součte ( p i n ) šuovýh proudů výstupníh tranzistorů: ( ) ( ) i = p i + i + p i = p i + p i + p i = i = i no n1 n n1 n n1 n in ino = p i + p in + p p 1 ino = p i + in 1+ p (1.3) 1.8 Šuové vlastnosti difereniálního stupně obený difereniální stupeň MOS obr. 11: Šu obeného dif. stupně Šuový proud i n1 teče do uzlu v něž je připojen proudový zdroj I SS =I d. Šuový proudový zdroj i n1 sníží hodnotu I SS o svoji vlastní hodnotu na velikost I SS -i n1. ento proud se dělí na poloviny do obou větví difereniálního stupně. o znaená, že drainový proud oběa tranzistory dif. stupně klesne o i n1. ato složka ( i n1 ) se pak objeví jako šuový proud v drainu tranzistoru M. V drainu tranzistoru M1 se poto sečte s jeho šuový proude i n1 i i = + i. Šuový proud i n1 se tedy projeví dvěi vzájeně na hodnotu ( ) n1 n1 n1 Petr Kadaňka 11
11 korelovanýi složkai jako šuový proud + i n 1 v drainu M1 a jako šuový proud i n1 v drainu M. Stejný způsobe se projeví i šuový proud i n. Celkový šuový proud i na, i nb každou větví difereniálního stupně je poto dán i, i tranzistorů M 1 a M. nekorelovaný součte polovin šuovýh proudů ( ) n1 n i na n1 n n n1, inb i i = + = i + i (1.33) je-li in 1 = in = in, pak platí i na in = inb = (1.34) Poznáka: Neuvažovali jse šuový proud, který přísluší proudovéu zdroji (I SS ) difereniálního stupně. Pokud je dif. stupeň syetriký (platí i pro syetriké zapojení s aktivní zátěží), tento šuový proud se eliinuje (jde o oon ode signal) difereniální stupeň s odporovou zátěží MOS obr. 1: Šu odporově zatíženého dif. stupně Petr Kadaňka 1
12 Nízkošuové dif. stupně jsou téěř vždy součástí (vstupní díle) zpětnovazební aplikae typu operační zesilovač. Proto se šuové vlastnosti takového dif. stupně definují ekvivalentní vstupní napětí, které vyvolá stejné šuové vlastnosti jako reálné šuové zdroje daného zapojení. Šuový proud tranzistoru M 1 se rozdělí do větve tranzistoru M 1 jako + i n 1 a do větve tranzistoru M jako i n 1. Na výstupní napětí (difereniální výstup) se toto projeví šuový napětí: in 1 in 1 vn 1 R = R = in 1 R (1.35) Stejný způsobe se projeví šuový proud in tranzistoru M : in in vn R = R = in R (1.36) Příspěvky v n1 a v n jsou nekorelované, na výstupu dif. stupně se šu tranzistorů M 1 a M projeví jako šuové napětí v n : v = v + v, je li i = i = i n n1 n n1 n n ( ) ( ) v = i R + i R = i R (1.37) n n n n Vstupní šuové napětí v odpovídajíí šuový proudů se pak spočítá tak, že se hodnota šuového napětí v n podělí ziske dif. stupně. v vn vn in R = = = A g R g R in v = (1.38) g ranskonduktane g syetrikého dif. stupně s proude I d je stejná jako transkonduktane tranzistoru s proude I d. Pro silnou inverzi je in 8 V q l = 4 g I k w d p (vztah (1.3)) v = V q l I k w 4 d p (1.39) in n q Pro slabou inverzi je = V (vztah (1.6)) g I d 8 n q v = V (1.40) I d Petr Kadaňka 13
13 Cíle nízkošuového návrhu je dosáhnout stavu, kdy je vstupní šuové napětí dáno jen šue v tranzistorů vstupního dif. stupně. Podle vztahu (1.3) pak usí být velikost ostatníh příspěvků po převedení na vstup enší než 1 v, tedy: (1.41) vn 1 v A < n (vstup následného stupně) (1.4) vnr 1 < v pro šuové napětí zatěžovaíh odporů R A Pro šu zatěžovaíh odporů (1.4) je pak ožné odvodit podínku: 4V q R 1 4V q g < g R > R g g (1.43) Pro silnou inverzi pak ůžee odvodit podínku: w w g = I d k p R Id k p 8 l l > (1.44) Pro slabou inverzi pak ůžee odvodit podínku: g Id R Id = > 4 n V n V (1.45) Poznáka: Šu proudového zdroje i ns se rozdělí na poloviny do obou větví dif. stupně a na výstupu se příspěvky těhto polovin vzájeně odečtou (jde o oon ode signal). Šuový proud i ns se na výsledné šuu syetrikého dif. stupně jak nepodílí. Petr Kadaňka 14
14 1.8.3 syetriký difereniální stupeň s aktivní zátěží MOS obr. 13: Šu syetrikého dif. stupně s aktivní zátěží Šuový proud i ns se rozdělí na poloviny a ty se na výstupu dif. stupně odečtou. Šuový proud i ns pak neá na výsledný šu žádný vliv. - šuový proud i p se proítá přío do výsledného šuového proudu i n - šuový proud i p1 se beze zěny ozradlí do výsledného šuového proudu i n pooí zradla P 1, P. - šuový proud i n1 se projeví jako + i n 1 u drainu M 1 a také se přenese do drainového proudu M jako i n 1. Složka + i n 1 se přenese na výstup pooí zradla P 1, P, ta se od něj odečte složka i n 1. Protože složky + i n 1 a i n 1 jsou korelované, na výstupu se poto objeví hodnota ( ) výstupu se přenese elá hodnota proudu i n1. + i i = i. o znaená, že do n1 n1 n1 - šuový proud i n se projeví jako + i n v drainu M a také se přenese do drainového proudu M 1 jako i n. Složka i n se přenese na výstup pooí zradla P 1, P, ta se od něj odečte složka + i n. Na výstupu se poto objeví hodnota Petr Kadaňka 15
15 ( ) i + i = i. o znaená, že do výstupu se přenese elá hodnota proudu i n. n n n Celkový výstupní šuový proud i n se poto spočítá jako nekorelovaný součet šuovýh proudů všeh tranzistorů dif. stupně (M 1, M, P 1, P ). i = i + i + i + i, pro i = i = i a i = i = i n n1 n p1 p n1 n n p1 p p i = i + i (1.46) n n p Vstupní šuové napětí se spočítá: kde v g je transkonduktane syterikého dif. stupně s i in + i n p = = (1.47) g g s s PMOS tranzistory jsou z hlediska šuu (jak bílého, tak kitočtu lou 1/f šuu) většinou iálně tak dobré jako NMOS tranzistory. Naví je ožné jejih šuový proud snížit pooí snížení jejih transkonduktane tak, že jejih šuový proud je zanedbatelný proti šuovéu proudu NMOS tranzistorů vlastního dif. stupně. Z toho pak vyplývá, že v čistě osovýh konstrukíh jsou šuové vlastnosti difereniálního stupně s aktivní zátěží většinou srovnatelné s šuovýi vlastnosti odporově zatíženého stupně. Petr Kadaňka 16
16 1.8.4 nesyetriký difereniální stupeň s aktivní zátěží MOS i = i = i n1 n n i = i = i p1 p p obr. 14: Šu nesyetrikého dif. stupně s aktivní zátěží V draineh obou tranzistorů (M 1, M ) dif. stupně se objeví šuový proud i n. K něu se i a výstupní nekorelovaně přičítá polovina šuového proudu proudového zdroje M S ( ) šuový proud zradla aktivní zátěže P 1, P ( i p ) pak je: i n. Celkový šuový proud i n na výstupu ( ip ) i n ins = + + A vstupní šuové napětí v se poto spočítá jako: in ins in = + + ip (1.48) 4 ns in ins + + ip v 4 = (1.49) gn gs g n = - transkonduktane nesyetrikého dif. stupně Kde gn je transkonduktane nesyetrikého dif. stupně (ta je poloviční ve srovnání s transkonduktaní syetrikého dif. stupně). oto zapojení je z hlediska šuu nevýhodné, Petr Kadaňka 17
17 protože na vstupní šuové napětí v se projeví i šu i ns proudového zdroje a transkonduktane je poloviční ve srovnání se syetriký stupně. Pouze pokud se eliinuje vliv šuového proudu i ns a také šuové proudy i p proudového zradla P 1, P (dlouhé kanály, nízká transkonduktane), je vstupní šuové napětí v syetrikého i nesyetrikého dif. stupně s aktivní zátěží srovnatelné. Syetriký dif. stupeň s aktivní zátěží: i + i v = pro i << i n p p n gs in v = (1.50) g s Nesyetriký dif. stupeň s aktivní zátěží: in ins + + ip v = 4, g = g pro i, i << i g s n ns p n s in in v = g = g (1.51) s s 1.9 Šu v bipolárníh obvodeh Šu PN přehodu (diody) je definován pooí zdroje šuového proudu i nd, který je připojen paralelně k dané diodě. i nd je závislý na proudu I, který diodou protéká. ind = q I (1.5) obr. 15: Šu PN přehodu Petr Kadaňka 18
18 Šu bipolárního tranzistoru (BJ). BJ tranzistor se vyznačuje třei šuovýi zdroji podle následujíího obrázku: I C = β I B obr. 16: Šuové zdroje bipolárního tranzistoru 1) šu odporu r b báze: v = 4kr (1.53) nrb ) proudový šu kolektoru: i = q I (1.54) n 3) proudový šu báze: i = q I (1.55) nb Z praktikýh důvodů je někdy užitečné převést šuový kolektorový proud i n do yšleného zdroje šuového napětí v n pooí transkonduktane tranzistoru g = I V : B b I = g VBE in = g v n in vn = (1.56) g v i n i q I n n = = = g I I V V q vn = V (1.57) I obr. 17: Převod šuového proudu i n do vstupního šuového napětí v n oto přepočítané napětí v n je ožné forálně sloučit s šuový napětí v nrb bázového odporu do jediného vstupního šuového zdroje v : Petr Kadaňka 19
19 obr. 18: Sloučení vstupníh šuovýh zdrojů v nrb a v n q k q k 1 v = vn + vnrb = 4krb + V = 4krb + = 4k r b + I q I q I V v = 4k rb + (1.58) I Výraz V rb + á rozěr ipedane a nazývá se ekvivalentní vstupní šuový odpor. I obr. 19: Závislost vstupního šuového napětí BJ tranzistoru na kolektorové proudu I Petr Kadaňka 0
20 Kitočet lou 1/f šuu (f K ) je pro NPN tranzistory většinou veli nízký i pod 1Hz. Proto jsou NPN tranzistory veli vhodné pro nízkošuové aplikae určené pro veli nízké kitočty. Pro výpočet šuovýh vlastností základníh bloků (proudové zradlo, difereniální stupeň) je někdy výhodné převést šuové napětí bázového odporu do odpovídajíího šuového proudu kolektoru. obr. 0: Převod šuového napětí v nrb do šuového proudu i nrb i n i v g v Celkový šuový proud kolektoru i n je pak: = qi (1.59) I nrb = nrb = nrb (1.60) V I 4 q rb inrb = 4V q rb = I (1.61) V V 4q rb n = n + nrb = + V i i i qi I rb I in = qi 1+ V (1.6) Šuové vlastnosti základníh bipolárníh bloků se pak počítají stejně jako vlastnosti obdobnýh osovýh bloků (proudovýh zradel, difereniálníh stupňů). Petr Kadaňka 1
21 . PRAXE
22 Příklad: Spočítejte a zěřte vstupní šuové napětí v tohoto eleentárního OZ: obr. 1: Eleentární OZ v bipolární proesu Pro V / V = ± 10V je hodnota proudu I = µ A. Byly zěřeny tyto hodnoty bázovýh CC EE odporů r bp a r bn pro PNP a NPN tranzistor. I = µ A r = 00Ω bp r = 450Ω bn g I I = = V V Pro výpočet vstupního šuového napětí v sečtee ( nekorelovaně ) šuové proudy všeh I tranzistorů a tento součet ( i n ) podělíe transkonduktaní g = : V rbp I rbn I in = inp + inn = 4qI qI 1+ V V in = qi 1+ ( ) r + r I bp bn V ( ) in in q r + r I v = = V = V 1+ g I I V Vypočítaná hodnota pro I = µ A v = 9,9 nv Hz bp bn Siulovaná hodnota pro I = µ A v = 10, nv Hz Zěřená hodnota pro I = µ A v = 9,8nV Hz Petr Kadaňka
23 Vidíe veli dobrý souhlas ezi zěřenou a teoretiky spočítanou hodnotou vstupního šuového napětí v. Na následujíí obrázku je ěrií zapoje a výsledek ěření pro tento příklad. Pokud očekáváe že šuové napětí ěřeného zapojení je veli nízké, je zapotřebí vzít v úvahu i vstupní šu vlastního analyzátoru který ůže ěření význaně ovlivt. Buď jeho hodnotu zěříe (zkratujee vstup analyzátoru a odečtee jeho vstupní šu) a poto odečtee (nekorelovaně) od zěřené hodnoty šuu. Nebo (jako v toto případě) zapojíe ěřený operační zesilovač s dostatečně vysoký zpětnovazební ziske který vstupní šu ěřeného OZ vynásobí na hodnotu proti níž je hodnota vstupního šuu analyzátoru zanedbatelná. Zpětnovazební odpory usí být tak alé aby jejih vlastní šu ěření neovlivl. obr. : Šuové spektru OZ z obr. 1 se ziske A V =11 Petr Kadaňka 3
24 Šuové vlastnosti bipolárního difereniálního stupně s aktivní zátěží jsou na nízkýh kitočteh zásadní způsobe ovlivněny loovou frekvení 1/f šuu PNP tranzistorů aktivní zátěže. Běžné NPN tranzistory ají hodnotu f K veli nízkou (jednotky Hz), zatío u PNP tranzistorů je hodnota frekvene f K i ve stovkáh Hz. Vysoká hodnota loové frekvene f K PNP tranzistoru výrazně degraduje šuové vlastnosti difereniálního NPN stupně s PNP aktivní zátěží na nízkýh kitočteh (jednotky až desítky Hz). V takovéto případě je vhodné použít NPN difereniální stupeň s odporovou zátěží. poznáka: V případě lineárníh regulátorů je požadavek na šuové vlastnosti většinou vyjádřen integrální hodnotou šuu v kitočtové pásu f 1 -f. Je-li toto páso např. 10Hz-100kHz, stačí když je hodnota f K <,7kHz (vztah(1.1)). V takovéto případě je použití aktivní zátěže difereniálního stupně vhodné, použití odporové zátěže zde nepřinese viditelné zlepšení (snížení) integrální hodnoty šuového napětí. Petr Kadaňka 4
25
26
PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...
teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech
Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?
1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8
:00 hod. Elektrotechnika a) Metodou syčkových proudů (MSP) vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R = Ω, R = Ω, R 3 = Ω, U = 5 V, U = 3 V. b) Uveďte obecný vztah pro výpočet počtu nezávislých syček
teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů s regulárními prvky
Jiří Petržela příklad pro příčkový filtr na obrázku napište aditanční atici etodou uzlových napětí zjistěte přenos filtru identifikujte tp a řád filtru Obr. : Příklad na příčkový filtr. aditanční atice
r j Elektrostatické pole Elektrický proud v látkách
Elektrostatiké pole Elektriký proud v látkáh Měděný vodiče o průřezu 6 protéká elektriký proud Vypočtěte střední ryhlost v pohybu volnýh elektronů ve vodiči jestliže předpokládáe že počet volnýh elektronů
Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
2. Určete optimální pracovní bod a účinnost solárního článku při dané intenzitě osvětlení, stanovte R SH, R SO, FF, MPP
FP 5 Měření paraetrů solárních článků Úkoly : 1. Naěřte a poocí počítače graficky znázorněte voltapérovou charakteristiku solárního článku. nalyzujte vliv různé intenzity osvětlení, vliv sklonu solárního
Přednáška 4 - Obsah. 1 Základní koncept přesného návrhu Koncept přesného operačního zesilovače... 1
PŘEDNÁŠKA 4 - OBSAH Přednáška 4 - Obsah i 1 Základní koncept přesného návrhu 1 1.1 Koncept přesného operačního zesilovače... 1 2 Přesný dvojstupňový OZ 2 2.1 Princip kmitočtového doubletu v charakteristice
II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. R. R = = = Metodou postupného zjednodušování vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. U = 60 V. Řešení.
A : hod. Elektrotechnika Metodou postupného zjednodušování vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R I I 3 R 3 R = 5 Ω, R = Ω, R 3 = Ω, R 4 = Ω, R 5 = Ω, = 6 V. I R I 4 I 5 R 4 R 5 R. R R = = Ω,
Vybrané vlastnosti obvodů pracujících v proudovém módu a napěťovém módu
Vybrané vlastnosti obvodů pracujících v proudové ódu a napěťové ódu Vratislav Michal, DTEE Brno University of Technology Vratislav.ichal@gail.co, www.postreh.co/vichal Teoretický úvod: Označení obvodů
Základy elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
Newtonův zákon I
14 Newtonův zákon I Předpoklady: 104 Začnee opakování z inulé hodiny Pedaoická poznáka: Nejdříve nechá studenty vypracovat oba následující příklady, pak si zkontrolujee první příklad a studenti dostanou
Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr
Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,
KOMPLEXNÍ DVOJBRANY - PŘENOSOVÉ VLASTNOSTI
Koplexní dvobrany http://www.sweb.cz/oryst/elt/stranky/elt7.ht Page o 8 8. 6. 8 KOMPEXNÍ DVOJBNY - PŘENOSOVÉ VSTNOSTI Intergrační a derivační článek patří ezi koplexní dvobrany. Integrační článek á vlastnost
Látka jako soubor kvantových soustav
Opakování pojmů Látka jako soubor kvantovýh soustav - foton - kvantování energie - kvantová soustava systém vázanýh části (atom, molekula, iont), jehož energie je kvantována - základní stav kvantové soustavy
Podívejte se na časový průběh harmonického napětí
Střídavý proud Doteď jse se zabývali pouze proude, který obvode prochází stále stejný sěre (stejnosěrný proud). V praxi se ukázalo, že tento proud je značně nevýhodný. kázalo se, že zdroje napětí ůže být
Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:
Truhlář Michal 6.. 5 Laboratorní práce č.4 Úloha č. VII Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Úkol: Zapojte operační zesilovač a nastavte jeho zesílení na hodnotu přibližně. Potvrďte platnost
Určení geometrických a fyzikálních parametrů čočky
C Určení geoetrickýc a yzikálníc paraetrů čočky Úkoly :. Určete poloěry křivosti ploc čočky poocí séroetru. Zěřte tloušťku čočky poocí digitálnío posuvnéo ěřítka 3. Zěřte oniskovou vzdálenost spojné čočky
+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ
Univerzita Pardubice FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A INFORMATIKY SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Vypracoval: Ondřej Karas Ročník:. Skupina: STŘEDA 8:00 Zadání: Dopočítejte
U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω
B 9:00 hod. Elektrotechnika a) Definujte stručně princip superpozice a uveďte, pro které obvody platí. b) Vypočítejte proudy větvemi uvedeného obvodu metodou superpozice. 0 = 30 V, 0 = 5 V R = R 4 = 5
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.08 Integrovaná střední škola technická Mělník,
Měření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
Základní vztahy v elektrických
Základní vztahy v elektrických obvodech Ing. Martin Černík, Ph.D. Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace. Klasifikace elektrických obvodů analogové číslicové lineární
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
NÁVRH NÍZKOŠUMOVÉ BAND GAP REFERENCE V BCD PROCESU
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
výkonovou hustotu definovat lze (v jednotkách W na Hz). Tepelný šum (thermal noise) Blikavý šum (flicker noise)
Šumová analýza Josef Dobeš 26. září 2013 Rádiové obvody a zařízení 1 1 Fyzikální příčiny šumu a jeho typy Náhodný pohyb nosičů náboje (elektronů a děr) v elektronických prvcích generuje napětí a proudy
Vznik střídavého proudu Obvod střídavého proudu Výkon Střídavý proud v energetice
Střídavý proud Vznik střídavého proudu Obvod střídavého proudu Výkon Střídavý proud v energetice Vznik střídavého proudu Výroba střídavého napětí:. indukční - při otáčivé pohybu cívky v agnetické poli
Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání
Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10
TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ
RANZISOROÝ ZESILOAČ 301-4R Hodnotu napájecího napětí určí vyučující ( CC 12). 1. Pro zadanou hodnotu I C 2 ma vypočtěte potřebnou hodnotu R C a zvolte nejbližší hodnotu rezistoru z řady. 2. Zvolte hodnotu
2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor
Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického
, p = c + jω nejsou zde uvedeny všechny vlastnosti viz lit.
Statiké a dynamiké harakteristiky Úvod : Základy Laplaeovy transformae dále LT: viz lit. hlavní užití: - převádí difereniální rovnie na algebraiké (nehomogenní s konstantními koefiienty - usnadňuje řešení
Darlingtonovo zapojení
Tento dokument slouží pouze pro studijní účely studentům ČVUT FEL, zejména v předmětu X31ELO Dokument nemá konečnou podobu a může se časem upravovat a doplňovat Uživatel může dokument použít pouze pro
VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?
TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název
Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36
Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. Obvody Petr Sadovský petrsad@feec.vutbr.cz ÚFYZ FEKT VUT v Brně Zdroj napětí Fyzika I. p. 2/36 Zdroj proudu Fyzika I. p. 3/36 Fyzika I. p. 4/36 Zdrojová a spotřebičová orientace
1 Poznámka k termodynamice: Jednoatomový či dvouatomový plyn?
Kvantová a statistická fyzika (erodynaika a statistická fyzika) 1 Poznáka k terodynaice: Jednoatoový či dvouatoový plyn? Jeden ol jednoatoového plynu o teplotě zaujíá obje V. Plyn však ůže projít cheickou
1. Hmotnost a látkové množství
. Hotnost a látkové nožství Hotnost stavební jednotky látky (například ato, olekly, vzorcové jednotky, eleentární částice atd.) označjee sybole a, na rozdíl od celkové hotnosti látky. Při požití základní
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:
PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH Přednáška 2 - Obsah i 1 Bipolární diferenciální stupeň 1 1.1 Dif. stupeň s nesymetrickým výstupem (R zátěž) napěťový zisk... 4 1.1.1 Parametr CMRR pro nesymetrický dif. stupeň (R zátěž)...
Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_03_Filtrace a stabilizace Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač
Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve
Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů
Diagnostika a testování elektronických systémů Úloha A2: 1 Operační zesilovač Jméno: Datum: Obsah úlohy: Diagnostika chyb v dvoustupňovém operačním zesilovači Úkoly: 1) Nalezněte poruchy v operačním zesilovači
FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
D C A C. Otázka 1. Kolik z následujících matic je singulární? A. 0 B. 1 C. 2 D. 3
atum narození Otázka. Kolik z následujících matic je singulární? 4 A. B... 3 6 4 4 4 3 Otázka. Pro která reálná čísla a jsou vektory u = (,, 3), v = (3, a, ) a w = (,, ) lineárně závislé? A. a = 5 B. a
Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.
Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů
(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy
Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve všech oblastech elektroniky. Jde o diferenciální zesilovač napětí s velkým ziskem. Jinak řečeno, operační zesilovač
Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech.
Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Neznalost amplitudové a fázové frekvenční charakteristiky dolní a horní RC-propusti
Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1
Číslo Projektu Škola CZ.1.07/1.5.00/34.0394 Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Autor Ing. Bc.Štěpán Pavelka Číslo VY_32_INOVACE_EL_2.17_zesilovače 8 Název Základní
Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
Pracovní list žáka (SŠ)
Pracovní list žáka (SŠ) vzorová úloha (SŠ) Jméno Třída.. Datum.. 1 Teoretický úvod Rezistory lze zapojovat do série nebo paralelně. Pro výsledný odpor sériového zapojení rezistorů platí: R = R1 + R2 +
OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E
OPERAČNÍ ZESILOVAČE OPERAČNÍ ZESILOVAČE Z NÁZVU SE DÁ USOUDIT, ŽE SE JEDNÁ O ZESILOVAČ POUŽÍVANÝ K NĚJAKÝM OPERACÍM. PŮVODNÍ URČENÍ SE TÝKALO ANALOGOVÝCH POČÍTAČŮ, KDE OPERAČNÍ ZESILOVAČ DOKÁZAL USKUTEČNIT
Vlastnosti a modelování aditivního
Vlastnosti a modelování aditivního bílého šumu s normálním rozdělením kacmarp@fel.cvut.cz verze: 0090913 1 Bílý šum s normálním rozdělením V této kapitole se budeme zabývat reálným gaussovským šumem n(t),
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
Zpětnovazební stabilizátor napětí
SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z X31EOS Zpětnovazební stabilizátor napětí Daniel Tureček Po-11:00 1. Zadání Zapojení stabilizátoru je uvedeno na obrázku. Navrhněte velikosti všech rezistorů tak, aby výstupní napětí
Praktikum I Mechanika a molekulová fyzika
Oddělení fzikálních praktik při Kabinetu výuk obecné fzik MFF UK Praktiku I Mechanika a olekulová fzika Úloha č. II Název: Studiu haronických kitů echanického oscilátoru Pracoval: Matáš Řehák stud.sk.:
Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u
Fyzikální praktikum č.: 7 Datum: 7.4.2005 Vypracoval: Tomáš Henych Název: Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící,
Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)
REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE
Stabilizátory napětí a proudu
Stabilizátory napětí a proudu Stabilizátory jsou obvody, které automaticky vyrovnávají napěťové nebo proudové změny na zátěži. Používají se tam, kde požadujeme minimální zvlnění nebo požadujeme-li konstantní
Manuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem
Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem I 1 = 1 + pl 1 (U 1 +( )), = 1 pc 2 ( I 1+( I 3 )), I 3 = pl 3 (U 3 +( )), 1 U 3 = (pc 4 +1/
Chemie - cvičení 2 - příklady
Cheie - cvičení 2 - příklady Stavové chování 2/1 Zásobník o objeu 50 obsahuje plynný propan C H 8 při teplotě 20 o C a přetlaku 0,5 MPa. Baroetrický tlak je 770 torr. Kolik kg propanu je v zásobníku? Jaká
Jednostupňové zesilovače
Kapitola 2 Jednostupňové zesilovače Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce a převod do tištěné
r Odvoď te přenosovou funkci obvodů na obr.2.16, je-li vstupem napě tí u 1 a výstupem napě tí u 2. Uvaž ujte R = 1Ω, L = 1H a C = 1F.
Systé my, procesy a signály I - sbírka příkladů NEŘ EŠENÉPŘ ÍKADY r 223 Odvoď te přenosovou funkci obvodů na obr26, je-li vstupem napě tí u a výstupem napě tí Uvaž ujte Ω, H a F u u u a) b) c) u u u d)
Proudové zrcadlo. Milan Horkel
roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často
elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech
Jiří Petržela základní aktivní prvky používané v analogových filtrech standardní operační zesilovače (VFA) transadmitanční zesilovače (OTA, BOTA, MOTA) transimpedanční zesilovače (CFA) proudové konvejory
13 Měření na sériovém rezonančním obvodu
13 13.1 Zadání 1) Změřte hodnotu indukčnosti cívky a kapacity kondenzátoru RC můstkem, z naměřených hodnot vypočítej rezonanční kmitočet. 2) Generátorem nastavujte frekvenci v rozsahu od 0,1 * f REZ do
Děliče napětí a zapojení tranzistoru
Středoškolská technika 010 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT Děliče napětí a zapojení tranzistoru David Klobáska Vyšší odborná škola a Střední škola slaboproudé elektrotechniky
Základy elektrotechniky
Základy elektrotechniky 3. přednáška Řešení obvodů napájených haronický napětí v ustálené stavu ZÁKADNÍ POJMY Časový průběh haronického napětí: kde: U u U. sin( t ϕ ) - axiální hodnota [V] - úhlový kitočet
3.1.2 Harmonický pohyb
3.1.2 Haronický pohyb Předpoklady: 3101 Graf závislosti výchylky koštěte na čase: Poloha na čase 200 10 100 poloha [c] 0 0 0 10 20 30 40 0 60 70 80 90 100-0 -100-10 -200 čas [s] U některých periodických
Návrh a analýza jednostupňového zesilovače
Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u
Finanční management. Nejefektivnější portfolio (leží na hranici) dle Markowitze: Přímka kapitálového trhu
Finanční anageent Příka kapitálového trhu, odel CAPM, systeatické a nesysteatické riziko Příka kapitálového trhu Čí vyšší e sklon křivky, tí vyšší e nechuť investora riskovat. očekávaný výnos Množina všech
Zesilovače. Ing. M. Bešta
ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného
2.6. Vedení pro střídavý proud
2.6. Vedení pro střídavý proud Při výpočtu krátkých vedení počítáme většinou buď jen s činným odporem vedení (nn) nebo u vn s činným a induktivním odporem. 2.6.1. Krátká jednofázová vedení nn U krátkých
Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,
Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto
3. Kmitočtové charakteristiky
3. Kmitočtové charakteristiky Po základním seznámení s programem ATP a jeho preprocesorem ATPDraw následuje využití jednotlivých prvků v jednoduchých obvodech. Jednotlivé příklady obvodů jsou uzpůsobeny
1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =
B 4:00 hod. Elektrotechnika Pomocí věty o náhradním zdroji vypočtěte hodnotu rezistoru tak, aby do něho byl ze zdroje dodáván maximální výkon. Vypočítejte pro tento případ napětí, proud a výkon rezistoru.
Defektoskopie 2010, 10. až , Plzeň. Josef BAJER Karel HÁJEK. Univerzita obrany Brno Katedra elektrotechniky
Defektoskopie 010, 10. až 1. 11. 010, Plzeň Josef BAJER Karel HÁJEK Univerzita obrany Brno Katedra elektrotechniky OBSAH Úvod Varianty realizované pomocí operačních zesilovačů (OZ) Rezistory pro eliminaci
e, přičemž R Pro termistor, který máte k dispozici, platí rovnice
Nakreslete schéma vyhodnocovacího obvodu pro kapacitní senzor. Základní hodnota kapacity senzoru pf se mění maximálně o pf. omu má odpovídat výstupní napěťový rozsah V až V. Pro základní (klidovou) hodnotu
Elektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz
Řešení: Odmocninu lze vždy vyjádřit jako mocninu se zlomkovým exponentem. A pro práci s mocninami = = = 2 0 = 1.
Varianta A Př.. Zloek 3 3 je roven číslu: a), b) 3, c), d), e) žádná z předchozích odpovědí není Řešení: Odocninu lze vždy vyjádřit jako ocninu se zlokový exponente. A pro práci s ocninai již áe jednoduchá
Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.
FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických
6 Algebra blokových schémat
6 Algebra blokových schémat Operátorovým přenosem jsme doposud popisovali chování jednotlivých dynamických členů. Nic nám však nebrání, abychom přenosem popsali dynamické vlastnosti složitějších obvodů,
A8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
1A Impedance dvojpólu
1A pedance dvojpólu Cíl úlohy Na praktických příkladech procvičit výpočty odulů a arguentů ipedancí různých dvojpólů. Na základních typech prakticky užívaných obvodů ověřit ěření příou souvislost ezi ipedancí