1 Šum. 1.1 Definice šumu

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "1 Šum. 1.1 Definice šumu"

Transkript

1 1 Šu 1.1 Defie šuu Šu je nežádouí rušivý signál (napětí, proud), který á původ v tepelnýh a kvantovýh jeveh. I když jde o náhodný signál, dá se poěrně dobře ateatiky popsat. Šu (například šuové napětí) se dá vyjádřit pooí integrální hodnoty která odpovídá definovanéu kitočtovéu pásu f = f f 1. Jeho hodnota se dá praktiky zěřit pooí ikrovoltetru, který á na vstupu pásovou propust o loovýh kitočteh f a f 1. Šu lze vyjádřit i pooí takzvané šuové spektrální hustoty. Poje spektrální šuové hustoty se dá dobře pohopit na prinipu, jaký ji ěří spektrální analyzátor. Jde o pásovou propust o veli alé šíře pása f. ato propust projíždí zvolený kitočtový rozsah a ěří při to integrální hodnotu šuu, například napětí V N, která odpovídá její šíře pása f. Šuová spektrální hustota v n se pak určí vztahe: VN VN vn = ideálně vn = li [ V / Hz ] (1.1) f f 0 f obr. 1: Šuové spektru Petr Kadaňka

2 1. Nekorelované a korelované šuové zdroje (příspěvky) Pojy korelovaný a nekorelovaný šuový příspěvek jsou vysvětleny na následujíí obrázku: obr. : Nekorelované a korelované šuové příspěvky Šuové proudy i n1 a i n jsou na sobě nezávislé (nekorelované). Jsou to náhodné veličiny. Šuový proud i n je poto součte nekorelovanýh šuovýh proudů i n1 a i n, které se sčítají takto: i = i + i (1.) n n1 n oto sčítání á jednu zajíavou vlastnost. Pokud je hodnota šuového příspěvku enší než polovina nejvýznanějšího příspěvku, dá se zanedbat, protože platí: i n = + 1,1 i i i i (1.3) Šuový proud i n protéká odpory R 1 a R a na h vytváří napěťové (šuové) úbytky v n1 a v n : n1 = R1 in, n v v = R i (1.4) n yto úbytky v n1 a v n jsou přío úěrné proudu i n, jsou takzvaně korelované a jejih součet (šuové napětí v n ) je dán prostý součte složek v n1 a v n : ( ) v = v + v = i R + i R = i R + R (1.5) n n1 n n 1 n n 1 Petr Kadaňka 3

3 1.3 Vztah ezi spektrální šuovou hustotou a integrální hodnotou šuu v pásu f 1 f Kitočtové páso f 1 f rozdělíe na difereniály f podle následujíího obrázku: obr. 3: Spektrální hustota a integrální hodnota šuu Šuové příspěvky v difereniáleh kitočtového pása f jsou na sobě nezávislé, jsou tedy nekorelované. Integrální hodnota V Ni daného difereniálu f i se spočítá jako: V = v f (1.6) Ni Celková integrální hodnota šuu V N v pásu f 1 f se pak spočítá jako součet všeh nekorelovanýh příspěvků odpovídajííh příslušný difereniálů f. V = v f + v f + + v f = ( ) ( 1 ) ( )... 1 f n n ( nn ) N f ( 1... ) n n n nn i= 1 = v + v + v f = v f f 0 V = v df ( 1 f ) N f f n (1.7) f1 Petr Kadaňka 4

4 1.4 Defie bílého šuu a 1/f šuu Reálné kitočtové spektru šuové hustoty běžnýh elektrokýh prvků (odpory, osové a bipolární tranzistory) á následujíí průběh (šuové napětí): obr. 4: Reálné šuové spektru Jako oblast bílého šuu se označuje ta část kitočtového pása, v níž je spektrální hustota šuu konstantní, kitočtově nezávislá (v n0 ). V oblasti 1/f šuu je spektrální hustota šuu nepřío úěrná druhé odoně kitočtu, tedy vn 1 f. Vztah pro šuovou hustotu v elé kitočtové pásu pak á tvar: fk vn = vn0 1+ (1.8) f kde f K je tzv. loová frekvene 1/f šuu Integrální hodnota šuu V N v pásu f 1 f je poto: f f fk V ( 1 ) vn df vn0 1 df N f f f f1 f 1 = = + = ( ) ln = vn0 f f1 + fk a je-li f f1 f1 V v f f f ln f >> pak ( ) = 1 n0 + N f f K (1.9) f1 Petr Kadaňka 5

5 Poloha loové frekvene 1/f šuu (f K ) je kritiká pro nízkošuový návrh.v dané kitočtové oblasti f 1 f by šuový příspěvek 1/f šuu ěl být zanedbatelný proti šuovéu příspěvku odpovídajííu bíléu šuu. Podle poznatku (1.) o sčítání nekorelovanýh příspěvků ůžee pro zanedbání 1/f šuu odvodit: f fk ln < 0, 5 f (1.10) f 1 Pokud je splněna tato nerovnost, je šuový příspěvek 1/f šuu zanedbatelný. Ze vztahu (1.10) poto odvodíe: 0,5 f fk < (1.11) f ln f Např. pro nízkošuový návrh v pásu f 1 =10Hz f =100kHz by pak ělo platit: 1 5 0,5 f 0,5 10 f < f < f <,7kHz (1.1) K 4 f ln K ln10 K f 1 Pak je příspěvek 1/f šuu zanedbatelný (zvýší výsledný šu jen asi o desetinu): s 1/f šue bez 1/f šuu v = v 10 +, 7 10 ln10 v 353 (1.13) n n0 n0 v = v 10 v 316 (1.14) 5 n n0 n0 1.5 Šu odporu Šu odporu se dá definovat pooí zdroje šuového napětí, který je v sérii s daný odpore: vnr = 4 k R (1.15) obr. 5: Šuové napětí odporu Petr Kadaňka 6

6 Nebo pooí proudového zdroje, který je připojen paralelně k danéu odporu: i nr VnR 4k R 4k = = = (1.16) R R R obr. 6: šuový proud odporu 1.6 Šu osového tranzistoru Šuové paraetry osového tranzistoru jsou definovány jediný šuový zdroje proudový šue i nd, který se odeluje jako zdroj proudu i nd paralelně k osovéu tranzistoru. i nd = 4k g (1.17) CH kde g CH je vodivost kanálu obr. 7: Šuový proud MOS tranzistoru Naprosto klíčový poznatke je, že gch g, tedy že vodivost kanálu je dána transkonduktaní g. i = 4kg (1.18) nd Poznáka: Občas se v literatuře vyskytuje vztah (1.18) ve tvaru i = 4k γ g kde γ 3 pro tranzistory s dlouhý kanále. Hodnota γ se ění i s drainový napětí. V této přednáše se používá hodnota γ = 1, protože víe odpovídá reálně naěřený hodnotá. nd Z praktikýh důvodů je někdy užitečné převést šuový proud na vstup (gate) jako vstupní šuové napětí v : i nd nd = = (1.19) g i g v v obr. 8: Přepočet šuového proudu i nd do šuového napětí v v i nd = g 4k v = (1.0) g Petr Kadaňka 7

7 Šu MOS tranzistoru pro silnou inverzi v 4k = (1.1) g w g = Id k p (1.) l 4k 16k l v = = 4 = k = V q w Id k p w Id k p l v = 8V q 4 l I k w d p (1.3) Šu MOS tranzistoru pro slabou inverzi v 4k 4V q = = (1.4) g g g I d = (1.5) n V v 4V q 4V n q n q = = = V Id Id Id n V (1.6) Kitočet lou 1/f šuu je pro běžné osové tranzistory poěrně vysoký (stovky Hz až jednotky khz), proto nejsou osové tranzistory příliš vhodné pro nízkošuové aplikae v oblasti veli nízkýh kitočtů. Kitočet lou 1/f šuu je ovlivněn i rozěry tranzistoru. Paraetr n ve vztahu (1.6) určuje hrai VGS β ezi silnou a slabou inverzí: Jeho hodnota je větší než 1, běžná hodnota n. V = GS V + β H n V (1.7) Petr Kadaňka 8

8 1.7 Šuové vlastnosti proudového zradla (MOS) Syetriké proudové zradlo i je šuový proud referenčního zdroje proudu i, i jsou šuové proudy tranzistorů M 1 a M n1 n ( in 1 in in = = ) obr. 9: Šu syetrikého proudového zradla Součet nekorelovanýh složek i a in 1 ( i in 1 ) nekorelovaná složka sečte s šuový proude in tranzistoru M. Pro stejné tranzistory platí i 1 = i = i ( ) + se přenese na výstup (drain M ) a ta se jako i = i + i + i = i + i + i (1.8) no n1 n n1 n n n n i = i + i (1.9) no n Pro silnou inverzi (výpočet proudu i n ): w in = 4 V q g, g = Id k p l 4 4 w w i = n V q Idk p 16V q Id k p l = l 4 w in = V q Id k p (1.30) l Silná inverze uožňuje navrhnout proudové zradlo s nízký šue použijí se tranzistory s alý g tedy dlouhé a úzké kanály. Délka kanálu l uožní snížit vlastní šu proudového zradla nezávisle na proudu I d. Dlouhé kanály také často přispějí k dobréu souběhu (přesnosti zradla). Nevýhodou je jen větší V GS a větší ploha zradla. Petr Kadaňka 9

9 Pro slabou inverzi (výpočet proudu i n ): Id in = 4 V q g, g = n V Id q I in = 4V q = n V n d (1.31) Slabá inverze neuožňuje snížit šuový proud zradla nezávisle na proudu I d. Z tohoto pohledu je vhodnější použít silné inverze. Použití dlouhýh a úzkýh kanálů se většinou podaří dosáhnout silné inverze a tí snížit g beze zěny proudu I d Násobné proudové zradlo (násobný poěr p) obr. 10: Šu násobného proudového zradla i - šuový proud zdroje referenčního proudu i - šuové proudy tranzistorů zradla i n n1 = i n Petr Kadaňka 10

10 Součet nekorelovanýh šuovýh složek i a n1 i ( i in1 ) + se přenese na výstup (spojené drainy výstupníh tranzistorů) tak, že se vynásobí přenose zradla p. Na výstupu se nekorelovaně sečte s nekorelovaný součte ( p i n ) šuovýh proudů výstupníh tranzistorů: ( ) ( ) i = p i + i + p i = p i + p i + p i = i = i no n1 n n1 n n1 n in ino = p i + p in + p p 1 ino = p i + in 1+ p (1.3) 1.8 Šuové vlastnosti difereniálního stupně obený difereniální stupeň MOS obr. 11: Šu obeného dif. stupně Šuový proud i n1 teče do uzlu v něž je připojen proudový zdroj I SS =I d. Šuový proudový zdroj i n1 sníží hodnotu I SS o svoji vlastní hodnotu na velikost I SS -i n1. ento proud se dělí na poloviny do obou větví difereniálního stupně. o znaená, že drainový proud oběa tranzistory dif. stupně klesne o i n1. ato složka ( i n1 ) se pak objeví jako šuový proud v drainu tranzistoru M. V drainu tranzistoru M1 se poto sečte s jeho šuový proude i n1 i i = + i. Šuový proud i n1 se tedy projeví dvěi vzájeně na hodnotu ( ) n1 n1 n1 Petr Kadaňka 11

11 korelovanýi složkai jako šuový proud + i n 1 v drainu M1 a jako šuový proud i n1 v drainu M. Stejný způsobe se projeví i šuový proud i n. Celkový šuový proud i na, i nb každou větví difereniálního stupně je poto dán i, i tranzistorů M 1 a M. nekorelovaný součte polovin šuovýh proudů ( ) n1 n i na n1 n n n1, inb i i = + = i + i (1.33) je-li in 1 = in = in, pak platí i na in = inb = (1.34) Poznáka: Neuvažovali jse šuový proud, který přísluší proudovéu zdroji (I SS ) difereniálního stupně. Pokud je dif. stupeň syetriký (platí i pro syetriké zapojení s aktivní zátěží), tento šuový proud se eliinuje (jde o oon ode signal) difereniální stupeň s odporovou zátěží MOS obr. 1: Šu odporově zatíženého dif. stupně Petr Kadaňka 1

12 Nízkošuové dif. stupně jsou téěř vždy součástí (vstupní díle) zpětnovazební aplikae typu operační zesilovač. Proto se šuové vlastnosti takového dif. stupně definují ekvivalentní vstupní napětí, které vyvolá stejné šuové vlastnosti jako reálné šuové zdroje daného zapojení. Šuový proud tranzistoru M 1 se rozdělí do větve tranzistoru M 1 jako + i n 1 a do větve tranzistoru M jako i n 1. Na výstupní napětí (difereniální výstup) se toto projeví šuový napětí: in 1 in 1 vn 1 R = R = in 1 R (1.35) Stejný způsobe se projeví šuový proud in tranzistoru M : in in vn R = R = in R (1.36) Příspěvky v n1 a v n jsou nekorelované, na výstupu dif. stupně se šu tranzistorů M 1 a M projeví jako šuové napětí v n : v = v + v, je li i = i = i n n1 n n1 n n ( ) ( ) v = i R + i R = i R (1.37) n n n n Vstupní šuové napětí v odpovídajíí šuový proudů se pak spočítá tak, že se hodnota šuového napětí v n podělí ziske dif. stupně. v vn vn in R = = = A g R g R in v = (1.38) g ranskonduktane g syetrikého dif. stupně s proude I d je stejná jako transkonduktane tranzistoru s proude I d. Pro silnou inverzi je in 8 V q l = 4 g I k w d p (vztah (1.3)) v = V q l I k w 4 d p (1.39) in n q Pro slabou inverzi je = V (vztah (1.6)) g I d 8 n q v = V (1.40) I d Petr Kadaňka 13

13 Cíle nízkošuového návrhu je dosáhnout stavu, kdy je vstupní šuové napětí dáno jen šue v tranzistorů vstupního dif. stupně. Podle vztahu (1.3) pak usí být velikost ostatníh příspěvků po převedení na vstup enší než 1 v, tedy: (1.41) vn 1 v A < n (vstup následného stupně) (1.4) vnr 1 < v pro šuové napětí zatěžovaíh odporů R A Pro šu zatěžovaíh odporů (1.4) je pak ožné odvodit podínku: 4V q R 1 4V q g < g R > R g g (1.43) Pro silnou inverzi pak ůžee odvodit podínku: w w g = I d k p R Id k p 8 l l > (1.44) Pro slabou inverzi pak ůžee odvodit podínku: g Id R Id = > 4 n V n V (1.45) Poznáka: Šu proudového zdroje i ns se rozdělí na poloviny do obou větví dif. stupně a na výstupu se příspěvky těhto polovin vzájeně odečtou (jde o oon ode signal). Šuový proud i ns se na výsledné šuu syetrikého dif. stupně jak nepodílí. Petr Kadaňka 14

14 1.8.3 syetriký difereniální stupeň s aktivní zátěží MOS obr. 13: Šu syetrikého dif. stupně s aktivní zátěží Šuový proud i ns se rozdělí na poloviny a ty se na výstupu dif. stupně odečtou. Šuový proud i ns pak neá na výsledný šu žádný vliv. - šuový proud i p se proítá přío do výsledného šuového proudu i n - šuový proud i p1 se beze zěny ozradlí do výsledného šuového proudu i n pooí zradla P 1, P. - šuový proud i n1 se projeví jako + i n 1 u drainu M 1 a také se přenese do drainového proudu M jako i n 1. Složka + i n 1 se přenese na výstup pooí zradla P 1, P, ta se od něj odečte složka i n 1. Protože složky + i n 1 a i n 1 jsou korelované, na výstupu se poto objeví hodnota ( ) výstupu se přenese elá hodnota proudu i n1. + i i = i. o znaená, že do n1 n1 n1 - šuový proud i n se projeví jako + i n v drainu M a také se přenese do drainového proudu M 1 jako i n. Složka i n se přenese na výstup pooí zradla P 1, P, ta se od něj odečte složka + i n. Na výstupu se poto objeví hodnota Petr Kadaňka 15

15 ( ) i + i = i. o znaená, že do výstupu se přenese elá hodnota proudu i n. n n n Celkový výstupní šuový proud i n se poto spočítá jako nekorelovaný součet šuovýh proudů všeh tranzistorů dif. stupně (M 1, M, P 1, P ). i = i + i + i + i, pro i = i = i a i = i = i n n1 n p1 p n1 n n p1 p p i = i + i (1.46) n n p Vstupní šuové napětí se spočítá: kde v g je transkonduktane syterikého dif. stupně s i in + i n p = = (1.47) g g s s PMOS tranzistory jsou z hlediska šuu (jak bílého, tak kitočtu lou 1/f šuu) většinou iálně tak dobré jako NMOS tranzistory. Naví je ožné jejih šuový proud snížit pooí snížení jejih transkonduktane tak, že jejih šuový proud je zanedbatelný proti šuovéu proudu NMOS tranzistorů vlastního dif. stupně. Z toho pak vyplývá, že v čistě osovýh konstrukíh jsou šuové vlastnosti difereniálního stupně s aktivní zátěží většinou srovnatelné s šuovýi vlastnosti odporově zatíženého stupně. Petr Kadaňka 16

16 1.8.4 nesyetriký difereniální stupeň s aktivní zátěží MOS i = i = i n1 n n i = i = i p1 p p obr. 14: Šu nesyetrikého dif. stupně s aktivní zátěží V draineh obou tranzistorů (M 1, M ) dif. stupně se objeví šuový proud i n. K něu se i a výstupní nekorelovaně přičítá polovina šuového proudu proudového zdroje M S ( ) šuový proud zradla aktivní zátěže P 1, P ( i p ) pak je: i n. Celkový šuový proud i n na výstupu ( ip ) i n ins = + + A vstupní šuové napětí v se poto spočítá jako: in ins in = + + ip (1.48) 4 ns in ins + + ip v 4 = (1.49) gn gs g n = - transkonduktane nesyetrikého dif. stupně Kde gn je transkonduktane nesyetrikého dif. stupně (ta je poloviční ve srovnání s transkonduktaní syetrikého dif. stupně). oto zapojení je z hlediska šuu nevýhodné, Petr Kadaňka 17

17 protože na vstupní šuové napětí v se projeví i šu i ns proudového zdroje a transkonduktane je poloviční ve srovnání se syetriký stupně. Pouze pokud se eliinuje vliv šuového proudu i ns a také šuové proudy i p proudového zradla P 1, P (dlouhé kanály, nízká transkonduktane), je vstupní šuové napětí v syetrikého i nesyetrikého dif. stupně s aktivní zátěží srovnatelné. Syetriký dif. stupeň s aktivní zátěží: i + i v = pro i << i n p p n gs in v = (1.50) g s Nesyetriký dif. stupeň s aktivní zátěží: in ins + + ip v = 4, g = g pro i, i << i g s n ns p n s in in v = g = g (1.51) s s 1.9 Šu v bipolárníh obvodeh Šu PN přehodu (diody) je definován pooí zdroje šuového proudu i nd, který je připojen paralelně k dané diodě. i nd je závislý na proudu I, který diodou protéká. ind = q I (1.5) obr. 15: Šu PN přehodu Petr Kadaňka 18

18 Šu bipolárního tranzistoru (BJ). BJ tranzistor se vyznačuje třei šuovýi zdroji podle následujíího obrázku: I C = β I B obr. 16: Šuové zdroje bipolárního tranzistoru 1) šu odporu r b báze: v = 4kr (1.53) nrb ) proudový šu kolektoru: i = q I (1.54) n 3) proudový šu báze: i = q I (1.55) nb Z praktikýh důvodů je někdy užitečné převést šuový kolektorový proud i n do yšleného zdroje šuového napětí v n pooí transkonduktane tranzistoru g = I V : B b I = g VBE in = g v n in vn = (1.56) g v i n i q I n n = = = g I I V V q vn = V (1.57) I obr. 17: Převod šuového proudu i n do vstupního šuového napětí v n oto přepočítané napětí v n je ožné forálně sloučit s šuový napětí v nrb bázového odporu do jediného vstupního šuového zdroje v : Petr Kadaňka 19

19 obr. 18: Sloučení vstupníh šuovýh zdrojů v nrb a v n q k q k 1 v = vn + vnrb = 4krb + V = 4krb + = 4k r b + I q I q I V v = 4k rb + (1.58) I Výraz V rb + á rozěr ipedane a nazývá se ekvivalentní vstupní šuový odpor. I obr. 19: Závislost vstupního šuového napětí BJ tranzistoru na kolektorové proudu I Petr Kadaňka 0

20 Kitočet lou 1/f šuu (f K ) je pro NPN tranzistory většinou veli nízký i pod 1Hz. Proto jsou NPN tranzistory veli vhodné pro nízkošuové aplikae určené pro veli nízké kitočty. Pro výpočet šuovýh vlastností základníh bloků (proudové zradlo, difereniální stupeň) je někdy výhodné převést šuové napětí bázového odporu do odpovídajíího šuového proudu kolektoru. obr. 0: Převod šuového napětí v nrb do šuového proudu i nrb i n i v g v Celkový šuový proud kolektoru i n je pak: = qi (1.59) I nrb = nrb = nrb (1.60) V I 4 q rb inrb = 4V q rb = I (1.61) V V 4q rb n = n + nrb = + V i i i qi I rb I in = qi 1+ V (1.6) Šuové vlastnosti základníh bipolárníh bloků se pak počítají stejně jako vlastnosti obdobnýh osovýh bloků (proudovýh zradel, difereniálníh stupňů). Petr Kadaňka 1

21 . PRAXE

22 Příklad: Spočítejte a zěřte vstupní šuové napětí v tohoto eleentárního OZ: obr. 1: Eleentární OZ v bipolární proesu Pro V / V = ± 10V je hodnota proudu I = µ A. Byly zěřeny tyto hodnoty bázovýh CC EE odporů r bp a r bn pro PNP a NPN tranzistor. I = µ A r = 00Ω bp r = 450Ω bn g I I = = V V Pro výpočet vstupního šuového napětí v sečtee ( nekorelovaně ) šuové proudy všeh I tranzistorů a tento součet ( i n ) podělíe transkonduktaní g = : V rbp I rbn I in = inp + inn = 4qI qI 1+ V V in = qi 1+ ( ) r + r I bp bn V ( ) in in q r + r I v = = V = V 1+ g I I V Vypočítaná hodnota pro I = µ A v = 9,9 nv Hz bp bn Siulovaná hodnota pro I = µ A v = 10, nv Hz Zěřená hodnota pro I = µ A v = 9,8nV Hz Petr Kadaňka

23 Vidíe veli dobrý souhlas ezi zěřenou a teoretiky spočítanou hodnotou vstupního šuového napětí v. Na následujíí obrázku je ěrií zapoje a výsledek ěření pro tento příklad. Pokud očekáváe že šuové napětí ěřeného zapojení je veli nízké, je zapotřebí vzít v úvahu i vstupní šu vlastního analyzátoru který ůže ěření význaně ovlivt. Buď jeho hodnotu zěříe (zkratujee vstup analyzátoru a odečtee jeho vstupní šu) a poto odečtee (nekorelovaně) od zěřené hodnoty šuu. Nebo (jako v toto případě) zapojíe ěřený operační zesilovač s dostatečně vysoký zpětnovazební ziske který vstupní šu ěřeného OZ vynásobí na hodnotu proti níž je hodnota vstupního šuu analyzátoru zanedbatelná. Zpětnovazební odpory usí být tak alé aby jejih vlastní šu ěření neovlivl. obr. : Šuové spektru OZ z obr. 1 se ziske A V =11 Petr Kadaňka 3

24 Šuové vlastnosti bipolárního difereniálního stupně s aktivní zátěží jsou na nízkýh kitočteh zásadní způsobe ovlivněny loovou frekvení 1/f šuu PNP tranzistorů aktivní zátěže. Běžné NPN tranzistory ají hodnotu f K veli nízkou (jednotky Hz), zatío u PNP tranzistorů je hodnota frekvene f K i ve stovkáh Hz. Vysoká hodnota loové frekvene f K PNP tranzistoru výrazně degraduje šuové vlastnosti difereniálního NPN stupně s PNP aktivní zátěží na nízkýh kitočteh (jednotky až desítky Hz). V takovéto případě je vhodné použít NPN difereniální stupeň s odporovou zátěží. poznáka: V případě lineárníh regulátorů je požadavek na šuové vlastnosti většinou vyjádřen integrální hodnotou šuu v kitočtové pásu f 1 -f. Je-li toto páso např. 10Hz-100kHz, stačí když je hodnota f K <,7kHz (vztah(1.1)). V takovéto případě je použití aktivní zátěže difereniálního stupně vhodné, použití odporové zátěže zde nepřinese viditelné zlepšení (snížení) integrální hodnoty šuového napětí. Petr Kadaňka 4

25

26

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?

Více

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8 :00 hod. Elektrotechnika a) Metodou syčkových proudů (MSP) vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R = Ω, R = Ω, R 3 = Ω, U = 5 V, U = 3 V. b) Uveďte obecný vztah pro výpočet počtu nezávislých syček

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů s regulárními prvky

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů s regulárními prvky Jiří Petržela příklad pro příčkový filtr na obrázku napište aditanční atici etodou uzlových napětí zjistěte přenos filtru identifikujte tp a řád filtru Obr. : Příklad na příčkový filtr. aditanční atice

Více

r j Elektrostatické pole Elektrický proud v látkách

r j Elektrostatické pole Elektrický proud v látkách Elektrostatiké pole Elektriký proud v látkáh Měděný vodiče o průřezu 6 protéká elektriký proud Vypočtěte střední ryhlost v pohybu volnýh elektronů ve vodiči jestliže předpokládáe že počet volnýh elektronů

Více

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2 PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní

Více

2. Určete optimální pracovní bod a účinnost solárního článku při dané intenzitě osvětlení, stanovte R SH, R SO, FF, MPP

2. Určete optimální pracovní bod a účinnost solárního článku při dané intenzitě osvětlení, stanovte R SH, R SO, FF, MPP FP 5 Měření paraetrů solárních článků Úkoly : 1. Naěřte a poocí počítače graficky znázorněte voltapérovou charakteristiku solárního článku. nalyzujte vliv různé intenzity osvětlení, vliv sklonu solárního

Více

Přednáška 4 - Obsah. 1 Základní koncept přesného návrhu Koncept přesného operačního zesilovače... 1

Přednáška 4 - Obsah. 1 Základní koncept přesného návrhu Koncept přesného operačního zesilovače... 1 PŘEDNÁŠKA 4 - OBSAH Přednáška 4 - Obsah i 1 Základní koncept přesného návrhu 1 1.1 Koncept přesného operačního zesilovače... 1 2 Přesný dvojstupňový OZ 2 2.1 Princip kmitočtového doubletu v charakteristice

Více

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou

Více

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. R. R = = = Metodou postupného zjednodušování vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. U = 60 V. Řešení.

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. R. R = = = Metodou postupného zjednodušování vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. U = 60 V. Řešení. A : hod. Elektrotechnika Metodou postupného zjednodušování vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. R I I 3 R 3 R = 5 Ω, R = Ω, R 3 = Ω, R 4 = Ω, R 5 = Ω, = 6 V. I R I 4 I 5 R 4 R 5 R. R R = = Ω,

Více

Vybrané vlastnosti obvodů pracujících v proudovém módu a napěťovém módu

Vybrané vlastnosti obvodů pracujících v proudovém módu a napěťovém módu Vybrané vlastnosti obvodů pracujících v proudové ódu a napěťové ódu Vratislav Michal, DTEE Brno University of Technology Vratislav.ichal@gail.co, www.postreh.co/vichal Teoretický úvod: Označení obvodů

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1

Více

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu. [Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Newtonův zákon I

Newtonův zákon I 14 Newtonův zákon I Předpoklady: 104 Začnee opakování z inulé hodiny Pedaoická poznáka: Nejdříve nechá studenty vypracovat oba následující příklady, pak si zkontrolujee první příklad a studenti dostanou

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

KOMPLEXNÍ DVOJBRANY - PŘENOSOVÉ VLASTNOSTI

KOMPLEXNÍ DVOJBRANY - PŘENOSOVÉ VLASTNOSTI Koplexní dvobrany http://www.sweb.cz/oryst/elt/stranky/elt7.ht Page o 8 8. 6. 8 KOMPEXNÍ DVOJBNY - PŘENOSOVÉ VSTNOSTI Intergrační a derivační článek patří ezi koplexní dvobrany. Integrační článek á vlastnost

Více

Látka jako soubor kvantových soustav

Látka jako soubor kvantových soustav Opakování pojmů Látka jako soubor kvantovýh soustav - foton - kvantování energie - kvantová soustava systém vázanýh části (atom, molekula, iont), jehož energie je kvantována - základní stav kvantové soustavy

Více

Podívejte se na časový průběh harmonického napětí

Podívejte se na časový průběh harmonického napětí Střídavý proud Doteď jse se zabývali pouze proude, který obvode prochází stále stejný sěre (stejnosěrný proud). V praxi se ukázalo, že tento proud je značně nevýhodný. kázalo se, že zdroje napětí ůže být

Více

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Truhlář Michal 6.. 5 Laboratorní práce č.4 Úloha č. VII Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Úkol: Zapojte operační zesilovač a nastavte jeho zesílení na hodnotu přibližně. Potvrďte platnost

Více

Určení geometrických a fyzikálních parametrů čočky

Určení geometrických a fyzikálních parametrů čočky C Určení geoetrickýc a yzikálníc paraetrů čočky Úkoly :. Určete poloěry křivosti ploc čočky poocí séroetru. Zěřte tloušťku čočky poocí digitálnío posuvnéo ěřítka 3. Zěřte oniskovou vzdálenost spojné čočky

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu. v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet

Více

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Univerzita Pardubice FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A INFORMATIKY SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Vypracoval: Ondřej Karas Ročník:. Skupina: STŘEDA 8:00 Zadání: Dopočítejte

Více

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω B 9:00 hod. Elektrotechnika a) Definujte stručně princip superpozice a uveďte, pro které obvody platí. b) Vypočítejte proudy větvemi uvedeného obvodu metodou superpozice. 0 = 30 V, 0 = 5 V R = R 4 = 5

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.08 Integrovaná střední škola technická Mělník,

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Základní vztahy v elektrických

Základní vztahy v elektrických Základní vztahy v elektrických obvodech Ing. Martin Černík, Ph.D. Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace. Klasifikace elektrických obvodů analogové číslicové lineární

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

NÁVRH NÍZKOŠUMOVÉ BAND GAP REFERENCE V BCD PROCESU

NÁVRH NÍZKOŠUMOVÉ BAND GAP REFERENCE V BCD PROCESU VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF

Více

výkonovou hustotu definovat lze (v jednotkách W na Hz). Tepelný šum (thermal noise) Blikavý šum (flicker noise)

výkonovou hustotu definovat lze (v jednotkách W na Hz). Tepelný šum (thermal noise) Blikavý šum (flicker noise) Šumová analýza Josef Dobeš 26. září 2013 Rádiové obvody a zařízení 1 1 Fyzikální příčiny šumu a jeho typy Náhodný pohyb nosičů náboje (elektronů a děr) v elektronických prvcích generuje napětí a proudy

Více

Vznik střídavého proudu Obvod střídavého proudu Výkon Střídavý proud v energetice

Vznik střídavého proudu Obvod střídavého proudu Výkon Střídavý proud v energetice Střídavý proud Vznik střídavého proudu Obvod střídavého proudu Výkon Střídavý proud v energetice Vznik střídavého proudu Výroba střídavého napětí:. indukční - při otáčivé pohybu cívky v agnetické poli

Více

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10

Více

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ RANZISOROÝ ZESILOAČ 301-4R Hodnotu napájecího napětí určí vyučující ( CC 12). 1. Pro zadanou hodnotu I C 2 ma vypočtěte potřebnou hodnotu R C a zvolte nejbližší hodnotu rezistoru z řady. 2. Zvolte hodnotu

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického

Více

, p = c + jω nejsou zde uvedeny všechny vlastnosti viz lit.

, p = c + jω nejsou zde uvedeny všechny vlastnosti viz lit. Statiké a dynamiké harakteristiky Úvod : Základy Laplaeovy transformae dále LT: viz lit. hlavní užití: - převádí difereniální rovnie na algebraiké (nehomogenní s konstantními koefiienty - usnadňuje řešení

Více

Darlingtonovo zapojení

Darlingtonovo zapojení Tento dokument slouží pouze pro studijní účely studentům ČVUT FEL, zejména v předmětu X31ELO Dokument nemá konečnou podobu a může se časem upravovat a doplňovat Uživatel může dokument použít pouze pro

Více

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové

Více

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3? TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název

Více

Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36

Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. Obvody Petr Sadovský petrsad@feec.vutbr.cz ÚFYZ FEKT VUT v Brně Zdroj napětí Fyzika I. p. 2/36 Zdroj proudu Fyzika I. p. 3/36 Fyzika I. p. 4/36 Zdrojová a spotřebičová orientace

Více

1 Poznámka k termodynamice: Jednoatomový či dvouatomový plyn?

1 Poznámka k termodynamice: Jednoatomový či dvouatomový plyn? Kvantová a statistická fyzika (erodynaika a statistická fyzika) 1 Poznáka k terodynaice: Jednoatoový či dvouatoový plyn? Jeden ol jednoatoového plynu o teplotě zaujíá obje V. Plyn však ůže projít cheickou

Více

1. Hmotnost a látkové množství

1. Hmotnost a látkové množství . Hotnost a látkové nožství Hotnost stavební jednotky látky (například ato, olekly, vzorcové jednotky, eleentární částice atd.) označjee sybole a, na rozdíl od celkové hotnosti látky. Při požití základní

Více

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:

Více

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH Přednáška 2 - Obsah i 1 Bipolární diferenciální stupeň 1 1.1 Dif. stupeň s nesymetrickým výstupem (R zátěž) napěťový zisk... 4 1.1.1 Parametr CMRR pro nesymetrický dif. stupeň (R zátěž)...

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_03_Filtrace a stabilizace Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve

Více

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů Diagnostika a testování elektronických systémů Úloha A2: 1 Operační zesilovač Jméno: Datum: Obsah úlohy: Diagnostika chyb v dvoustupňovém operačním zesilovači Úkoly: 1) Nalezněte poruchy v operačním zesilovači

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen

Více

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky

Více

D C A C. Otázka 1. Kolik z následujících matic je singulární? A. 0 B. 1 C. 2 D. 3

D C A C. Otázka 1. Kolik z následujících matic je singulární? A. 0 B. 1 C. 2 D. 3 atum narození Otázka. Kolik z následujících matic je singulární? 4 A. B... 3 6 4 4 4 3 Otázka. Pro která reálná čísla a jsou vektory u = (,, 3), v = (3, a, ) a w = (,, ) lineárně závislé? A. a = 5 B. a

Více

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky

Více

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů

Více

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve všech oblastech elektroniky. Jde o diferenciální zesilovač napětí s velkým ziskem. Jinak řečeno, operační zesilovač

Více

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech.

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Neznalost amplitudové a fázové frekvenční charakteristiky dolní a horní RC-propusti

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Číslo Projektu Škola CZ.1.07/1.5.00/34.0394 Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Autor Ing. Bc.Štěpán Pavelka Číslo VY_32_INOVACE_EL_2.17_zesilovače 8 Název Základní

Více

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův

Více

Pracovní list žáka (SŠ)

Pracovní list žáka (SŠ) Pracovní list žáka (SŠ) vzorová úloha (SŠ) Jméno Třída.. Datum.. 1 Teoretický úvod Rezistory lze zapojovat do série nebo paralelně. Pro výsledný odpor sériového zapojení rezistorů platí: R = R1 + R2 +

Více

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E OPERAČNÍ ZESILOVAČE OPERAČNÍ ZESILOVAČE Z NÁZVU SE DÁ USOUDIT, ŽE SE JEDNÁ O ZESILOVAČ POUŽÍVANÝ K NĚJAKÝM OPERACÍM. PŮVODNÍ URČENÍ SE TÝKALO ANALOGOVÝCH POČÍTAČŮ, KDE OPERAČNÍ ZESILOVAČ DOKÁZAL USKUTEČNIT

Více

Vlastnosti a modelování aditivního

Vlastnosti a modelování aditivního Vlastnosti a modelování aditivního bílého šumu s normálním rozdělením kacmarp@fel.cvut.cz verze: 0090913 1 Bílý šum s normálním rozdělením V této kapitole se budeme zabývat reálným gaussovským šumem n(t),

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro

Více

Zpětnovazební stabilizátor napětí

Zpětnovazební stabilizátor napětí SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z X31EOS Zpětnovazební stabilizátor napětí Daniel Tureček Po-11:00 1. Zadání Zapojení stabilizátoru je uvedeno na obrázku. Navrhněte velikosti všech rezistorů tak, aby výstupní napětí

Více

Praktikum I Mechanika a molekulová fyzika

Praktikum I Mechanika a molekulová fyzika Oddělení fzikálních praktik při Kabinetu výuk obecné fzik MFF UK Praktiku I Mechanika a olekulová fzika Úloha č. II Název: Studiu haronických kitů echanického oscilátoru Pracoval: Matáš Řehák stud.sk.:

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u Fyzikální praktikum č.: 7 Datum: 7.4.2005 Vypracoval: Tomáš Henych Název: Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící,

Více

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W) REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE

Více

Stabilizátory napětí a proudu

Stabilizátory napětí a proudu Stabilizátory napětí a proudu Stabilizátory jsou obvody, které automaticky vyrovnávají napěťové nebo proudové změny na zátěži. Používají se tam, kde požadujeme minimální zvlnění nebo požadujeme-li konstantní

Více

Manuální, technická a elektrozručnost

Manuální, technická a elektrozručnost Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních

Více

Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem

Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem I 1 = 1 + pl 1 (U 1 +( )), = 1 pc 2 ( I 1+( I 3 )), I 3 = pl 3 (U 3 +( )), 1 U 3 = (pc 4 +1/

Více

Chemie - cvičení 2 - příklady

Chemie - cvičení 2 - příklady Cheie - cvičení 2 - příklady Stavové chování 2/1 Zásobník o objeu 50 obsahuje plynný propan C H 8 při teplotě 20 o C a přetlaku 0,5 MPa. Baroetrický tlak je 770 torr. Kolik kg propanu je v zásobníku? Jaká

Více

Jednostupňové zesilovače

Jednostupňové zesilovače Kapitola 2 Jednostupňové zesilovače Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce a převod do tištěné

Více

r Odvoď te přenosovou funkci obvodů na obr.2.16, je-li vstupem napě tí u 1 a výstupem napě tí u 2. Uvaž ujte R = 1Ω, L = 1H a C = 1F.

r Odvoď te přenosovou funkci obvodů na obr.2.16, je-li vstupem napě tí u 1 a výstupem napě tí u 2. Uvaž ujte R = 1Ω, L = 1H a C = 1F. Systé my, procesy a signály I - sbírka příkladů NEŘ EŠENÉPŘ ÍKADY r 223 Odvoď te přenosovou funkci obvodů na obr26, je-li vstupem napě tí u a výstupem napě tí Uvaž ujte Ω, H a F u u u a) b) c) u u u d)

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech Jiří Petržela základní aktivní prvky používané v analogových filtrech standardní operační zesilovače (VFA) transadmitanční zesilovače (OTA, BOTA, MOTA) transimpedanční zesilovače (CFA) proudové konvejory

Více

13 Měření na sériovém rezonančním obvodu

13 Měření na sériovém rezonančním obvodu 13 13.1 Zadání 1) Změřte hodnotu indukčnosti cívky a kapacity kondenzátoru RC můstkem, z naměřených hodnot vypočítej rezonanční kmitočet. 2) Generátorem nastavujte frekvenci v rozsahu od 0,1 * f REZ do

Více

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Děliče napětí a zapojení tranzistoru Středoškolská technika 010 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT Děliče napětí a zapojení tranzistoru David Klobáska Vyšší odborná škola a Střední škola slaboproudé elektrotechniky

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky 3. přednáška Řešení obvodů napájených haronický napětí v ustálené stavu ZÁKADNÍ POJMY Časový průběh haronického napětí: kde: U u U. sin( t ϕ ) - axiální hodnota [V] - úhlový kitočet

Více

3.1.2 Harmonický pohyb

3.1.2 Harmonický pohyb 3.1.2 Haronický pohyb Předpoklady: 3101 Graf závislosti výchylky koštěte na čase: Poloha na čase 200 10 100 poloha [c] 0 0 0 10 20 30 40 0 60 70 80 90 100-0 -100-10 -200 čas [s] U některých periodických

Více

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u

Více

Finanční management. Nejefektivnější portfolio (leží na hranici) dle Markowitze: Přímka kapitálového trhu

Finanční management. Nejefektivnější portfolio (leží na hranici) dle Markowitze: Přímka kapitálového trhu Finanční anageent Příka kapitálového trhu, odel CAPM, systeatické a nesysteatické riziko Příka kapitálového trhu Čí vyšší e sklon křivky, tí vyšší e nechuť investora riskovat. očekávaný výnos Množina všech

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

2.6. Vedení pro střídavý proud

2.6. Vedení pro střídavý proud 2.6. Vedení pro střídavý proud Při výpočtu krátkých vedení počítáme většinou buď jen s činným odporem vedení (nn) nebo u vn s činným a induktivním odporem. 2.6.1. Krátká jednofázová vedení nn U krátkých

Více

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto

Více

3. Kmitočtové charakteristiky

3. Kmitočtové charakteristiky 3. Kmitočtové charakteristiky Po základním seznámení s programem ATP a jeho preprocesorem ATPDraw následuje využití jednotlivých prvků v jednoduchých obvodech. Jednotlivé příklady obvodů jsou uzpůsobeny

Více

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = = B 4:00 hod. Elektrotechnika Pomocí věty o náhradním zdroji vypočtěte hodnotu rezistoru tak, aby do něho byl ze zdroje dodáván maximální výkon. Vypočítejte pro tento případ napětí, proud a výkon rezistoru.

Více

Defektoskopie 2010, 10. až , Plzeň. Josef BAJER Karel HÁJEK. Univerzita obrany Brno Katedra elektrotechniky

Defektoskopie 2010, 10. až , Plzeň. Josef BAJER Karel HÁJEK. Univerzita obrany Brno Katedra elektrotechniky Defektoskopie 010, 10. až 1. 11. 010, Plzeň Josef BAJER Karel HÁJEK Univerzita obrany Brno Katedra elektrotechniky OBSAH Úvod Varianty realizované pomocí operačních zesilovačů (OZ) Rezistory pro eliminaci

Více

e, přičemž R Pro termistor, který máte k dispozici, platí rovnice

e, přičemž R Pro termistor, který máte k dispozici, platí rovnice Nakreslete schéma vyhodnocovacího obvodu pro kapacitní senzor. Základní hodnota kapacity senzoru pf se mění maximálně o pf. omu má odpovídat výstupní napěťový rozsah V až V. Pro základní (klidovou) hodnotu

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz

Více

Řešení: Odmocninu lze vždy vyjádřit jako mocninu se zlomkovým exponentem. A pro práci s mocninami = = = 2 0 = 1.

Řešení: Odmocninu lze vždy vyjádřit jako mocninu se zlomkovým exponentem. A pro práci s mocninami = = = 2 0 = 1. Varianta A Př.. Zloek 3 3 je roven číslu: a), b) 3, c), d), e) žádná z předchozích odpovědí není Řešení: Odocninu lze vždy vyjádřit jako ocninu se zlokový exponente. A pro práci s ocninai již áe jednoduchá

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

6 Algebra blokových schémat

6 Algebra blokových schémat 6 Algebra blokových schémat Operátorovým přenosem jsme doposud popisovali chování jednotlivých dynamických členů. Nic nám však nebrání, abychom přenosem popsali dynamické vlastnosti složitějších obvodů,

Více

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

1A Impedance dvojpólu

1A Impedance dvojpólu 1A pedance dvojpólu Cíl úlohy Na praktických příkladech procvičit výpočty odulů a arguentů ipedancí různých dvojpólů. Na základních typech prakticky užívaných obvodů ověřit ěření příou souvislost ezi ipedancí

Více