GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný,

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný,"

Transkript

1 VLASTNOSTI GRAFENU TLOUŠŤKA: Při tloušťc 0,34 nanomtru j grafn milionkrát tnčí nž list papíru. HMOTNOST: Grafn j xtrémně lhký. Kilomtr čtvrčný tohoto matriálu váží jn 757 gramů. PEVNOST: V směru vrstvy j grafn stjně pvný jako diamant. PRŮSVITNOST: Grafn j průhldnější nž sklo pohlcuj pouz 2,3 procnta procházjícího světla. ELEKTRICKÁ VODIVOST: Miliardkrát vyšší nž u obohacného křmíku používaného při výrobě počítačových procsorů. Zázračný matriál GRAFEN Pomocí sítě atomů uhlíku budou počítač pracovat rychlji. Grafn s bud brzy používat v řadě komponnt. MARKUS MANDAU Zabývá s výkonnostními limity současných počítačů. Věří, ž pokud by grafnová tchnologi fungovala, mohla by výrazně posunout výkon současné PC tchnologi. Žádný matriál na světě nní tak lhký, pvný a propustný, a přsto tak ohbný jako tn, ktrý běžně najdm na konci obyčjné tužky. Tuha j vyrobna z grafitu, tdy uhlíku v krystalické podobě. Při psaní s třním přnášjí jdnotlivé atomové vrstvy tuhy z špičky tužky na list papíru. Pokud s na papíru zachytí pouz vrstva o tloušťc jdnoho atomu uhlíku, vzniká vrstva grafnu. Grafn j xtrémně stabilní a zárovň vlic ohbný matriál. Stjně dobř, možná dokonc jště lép nž kovy dokáž vodit tplo i lktřinu a přitom propouští světlo lép nž sklo. Elktrony s grafnm pohybují téměř stokrát rychlji nž křmíkm, ktrý j dns základním matriálm pro výrobu polovodičů. Využití grafnu by přinslo ohromné zvýšní výkonu počítačových čipů. Grafn byl objvn přd dvíti lty. Fyzikové Andr Gim a Konstantin Novoslov odbírali za pomoci lpicí pásky postupně jdnotlivé vrstvy grafitu, dokud jim nzbyla posldní vrstva o tloušťc jdiného atomu. Za objv grafnu dostali v roc 2010 Noblovu cnu. Kvality grafnu jsou známé, otázkou zůstává, k čmu všmu by bylo možné tnto zázračný matriál využít. Odpověď na tuto otázku má pro Evropskou unii hodnotu miliardy ur. Přsně tolik pněz totiž hodlá EU běhm příštích dsti lt vložit do podpory výzkumných projktů souvisjících s využitím grafnu. Zkoumání vlastností a možností grafnu s však nvěnují pouz státy, al i vlké IT firmy, jako jsou Nokia nbo Samsung. Sotva přdstavitlný tchnologický skok Přdstava 100GHz procsoru nbo batrií, ktré by bylo možné dobít běhm několika skund, samozřjmě láká vědc i invstory po clém světě. Využít ohromný potnciál, ktrý díky svým vlastnostm grafn skrývá, al nní tak jdnoduché. Tnto matriál totiž vd lktrický proud příliš dobř na to, aby jj bylo možné použít na výrobu tranzistorů v podobě, v jaké j znám dns, takž by musla být jjich architktura pozměněna. Jdnoduššího využití s grafn můž dočkat při vývoji displjů, batrií, solárních buněk a dokonc sluchátk. Na násldujících stránkách vám ukážm řadu projktů, v ktrých hraj grafn hlavní roli /2013 CHIP.CZ

2 VLASTNOSTI: Extrémně vodivý a odolný Elktrony probíhají grafnm mnohm rychlji nž křmíkm. Tnto matriál j navíc odolný, ohbný a propustný. Tajmství grafnu nám osvětlí jdiný pohld na jho atomovou strukturu. Síť šstihranných atomů uhlíku j vytvořna tak, ž tři z čtyř vnějších lktronů tvoří vazbu s okolními atomy uhlíku. Posldní, čtvrtý lktron s nachází na orbitu a j umístěn kolmo na plástv uhlíkové struktury. Svazky tří valnčních lktronů tvoří síť uhlíkových atomů a čtvrtý volný lktron dokáž vést lktrickou nrgii nbo tplo. Díky pvným vazbám mzi atomy uhlíku j vrstva grafnu stjně pvná jako diamant a lz ji poškodit pouz po vyvinutí vlic značné síly. Struktura sítě atomů grafnu j al zárovň dostatčně pružná a dokáž s roztáhnout až o 20 procnt. Konstantin Novoslov, ktrý za objv grafnu získal spolu s Andr Gimm Noblovu cnu, dál zjistil, ž za pomoci určitých katalyzátorů (palladium, nikl) a dostatčného množství náhradních uhlíkových atomů s poškozná struktura sítě grafnu dokáž sama opravit. Z hldiska vývoj počítačových tchnologií j zajímavý hlavně čtvrtý volný lktron, protož grafn má jdnu zajímavou vlastnost, a to ž nrgtická hladina lktronů, ktré s volně pohybují grafnm, a nrgtická hladina čtvrtého vnějšího lktronu s přkrývají. Díky tomu s skrz strukturu grafnu pohybují lktrony větší rychlostí a téměř bz odporu. Grafnové tranzistory, ktré by mohly tvořit základ budoucích procsorů, by mohly pracovat s vyšším kmitočtm nž tranzistory křmíkové, a přsto by s nijak nzahřívaly. Spolčnost IBM vyvinula v roc 2010 tranzistor, ktrý pracuj s kmitočtm 100 GHz. Obtíž s sériovou výrobou Vškré přísliby masového využití grafnu stojí a padají s možností hromadné výroby, ktrá zajistí jho cnovou dostupnost. V současnosti xistuj několik st patntovaných způsobů výroby grafnu, zmíním al pouz tři njznámější. Prvním j tzv. xfoliac, běhm ktré s z grafitu odštěpují vločky grafnu o délc jdnoho milimtru. Výtěžky tohoto procsu stačí pro výzkumné účly, al n pro sériovou výrobu. Grafn lz dál vyrábět rdukcí karbidu křmíku, tdy postupm, při ktrém s odpařuj křmík při tplotě okolo C, přičmž na povrchu vzniká vrstva uhlíku. Pokud s tato vrstva dostan do styku s plynm obsahujícím uhlík, tn s usadí v mzrách po křmíku. Touto mtodou s vyrábí wafry o průměru 50 mm, ktré obsahují vrstvu grafnu a podkladovou vrstvu z karbidu křmíku. Tyto wafry lz využít i pro výrobu tranzistorů, al povrch, na ktrém j grafn umístěn, zpomaluj tok lktronů. Pohyblivost lktronů v grafnu na takovém nosném povrchu j na úrovni cm 2 /Vs, což j sic víc nž u dopovaného křmíku (1 400 cm 2 /Vs), al mnohm méně, nž j tortický limit grafnu ( cm 2 /Vs). Při výrobě pomocí dpozic chmickým odpařováním (tdy tzv. CVD, Chmical Vapor Dposition) vzniká matriál s pohyblivostí lktronů cm 2 /Vs. Při výrobě mtodou CVD dochází k tvorbě grafnu rozkladm plynu obsahujícího uhlík na měděném povrchu při tplotě 900 C. Jlikož měď al nní vhodným nosným matriálm, j nutné ji odstranit a grafnovou vrstvu přmístit na křmíkový substrát. Mtoda CVD s zatím jví jako njlpší varianta pro sériovou výrobu. 08/2013 CHIP.CZ OD GRAFITU KE GRAFENU Grafn získám oddělním jdné atomové vrstvy z tak běžného matriálu, jako j grafit 1. Pod lktronovým mikroskopm 2 vidím pravidlnou šstiúhlnou strukturu grafnu. 1 SÍŤ ATOMŮ UHLÍKU V struktuř grafnu jsou tři vnější lktrony atomu uhlíku spojny s sousdícími atomy uhlíku, čtvrtý lktron zůstává nvázaný. Díky třm lktronovým vrstvám j grafn pvný a čtvrtý lktron zajišťuj jho vodivost. JÁDRO ATOMU ELEKTRON STRUKTURA GRAFENU SE DOKÁŽE SAMA OPRAVIT Na Manchstrské univrzitě zjistili, ž poškozná struktura grafnu s dokáž za pomoci katalyzátoru sama opravit. K opravě j třba jn doplnit potřbné množství náhradních atomů uhlíku. Grafn j stál poměrně drahý matriál. Čtyři malé dstičky grafnu umístěné na křmíkovém substrátu přijdou v intrntovém obchodě graphna.com na téměř 250 ur. 2 ATOM 43

3 TVORBA ZAKÁZANÉHO PÁSU U GRAFENU Křmíkové tranzistory pracují pouz thdy, pokud s lktrony nachází v vodivostním pásu. Pro přchod z valnčního pásu do vodivostního musí přkonat bariéru tzv. zakázaného pásu. Grafn zakázaný pás nmá, takž tranzistor s nustál nachází v spnutém stavu. ENERGIE KŘEMÍK Křmíkový tranzistor j spnutý, pokud jím prochází lktrický proud 1. V takovém případě s v substrátu otvírá kanál, ktrým protékají lktrony od mitoru do kolktoru 2. IZOLAČNÍ VRSTVA 1,1 V VALENČNÍ PÁS GRAFEN VODIVOSTNÍ PÁS ROZDÍL MEZI KŘEMÍKOVÝM A GRAFENOVÝM TRANZISTOREM 1 IONTY HELIA 2 BRÁNA OXID HRADLA Grafnový tranzistor potřbuj k spnutí dvě hradla. Struktura grafnových vazb j navíc narušna ostřlováním ionty hlia, díky ktrému vzniká zakázaný pás. GRAFENOVÁ PÁSKA 0,5 V Řšní: Zakázaný pás u grafnu lz podl zjištění vědců z Manchstrské univrzity vytvořit jho zvlněním do podoby tzv. grafnové pásky (Grafn Nano Ribbon, GNR). HRADLA TRANZISTORY: Grafnová architktura Přchod z křmíkových na grafnové tranzistory nbud snadný bud nutné poněkud změnit strukturu tranzistoru. Tranzistory jsou základními součástkami počítačů, protož každý z těchto miniaturních obvodů rprzntuj jdn bit. Dns jsou vyráběny z polovodivého křmíku, ktrý obsahuj čtyři valnční lktrony, jž jsou všchny propojny vazbami s sousdními atomy. Na rozdíl od grafnu s v něm nnachází volný lktron. Kanál křmíkového tranzistoru s otvírá poté, co j do tranzistoru přivdn proud a lktrony s v něm pohybují od mitoru (sourc) k kolktoru (drain), přičmž křmík tranzistoru j obohacn o atomy jiných prvků. Emitor a kolktor jsou například tzv. n-dopované a jsou do nich přidávány třba atomy arznu s pěti vnějšími lktrony. Přidáním atomů arznu k atomům křmíku dochází k obohacní o jdn volný lktron. Kanál tranzistoru j na druhou stranu p-dopovaný například bórm, ktrý má pouz tři vnější lktrony, to znamná, ž v své struktuř má volnou díru pro jdn lktron. Pohyb lktronů j vyvolán lktrickým proudm, jhož síla závisí na úrovni dopování použitého matriálu. Křmík má šířku zakázaného pásu 1,1 lktronvoltu (V), což j hodnota udávající množství nrgi potřbné k uvolnění vnějšího valnčního lktronu z valnčního pásu do pásu vodivostního. Tranzistor propouští lktrickou nrgii pouz pokud s nachází v vodivostním pásu a lktrony prochází od mitoru k kolktoru. Oproti tomu grafn nmá zakázaný pás a jho lktrony s nustál nachází v vodivostním pásu. Grafnový tranzistor j nustál vodivý, a to pokud do něj npřichází proud. Rformovaný grafn s stává polovodičm Aby bylo možné z grafnu vyrábět tranzistory, musí tnto matriál obsahovat zakázané pásmo lktronů. Výzkumníci upravili grafn pomocí tchnologi karbidu křmíku tak, ž obsahuj tzv. nanopásma. Úpravou grafnu do vlnovité podoby dosáhli vytvořní zakázaného pásma o šířc 0,5 V. Japonští vědci jsou jště o krok dál. Pomocí mtody CVD dokázali vyrobit grafnový tranzistor o rozměru 30 nm. Tato vlikost již odpovídá tchnologii 22nm tranzistorů Intl Tri-Gat. Japonský tranzistor používá s ohldm na omznou šířku zakázaného pásma k řízní průchodu lktronů dvě brány. Ty jsou vytvořny za pomoci ostřlování grafnu ionty hlia, ktré má za násldk narušní pravidlné struktury atomů grafnu. Japonský výzkum s nyní zaměřuj na možnost výroby grafnových wafrů obsahujících tyto tranzistory a v současnosti zkoumá použitlné tchnologi, ktré by dokázaly zajistit jjich dostatčně fktivní a konomickou výrobu. Možná al bud nutné při vývoji idálního grafnového tranzistoru opustit tradiční schéma této základní počítačové součástky. Výsldkm projktu Manchstrské univrzity j koncpt dvou grafnových vrstv vyrobných mtodou CVD, jž jsou oddělny vrstvou disulfidu wolframu (WS2), ktrá vytváří zakázané pásmo o šířc 2,1 V, jímž procházjí lktrony obou vrstv grafnu /2013 CHIP.CZ

4 PLACENÁ INZERCE

5 RYCHLÉ FLASHOVÉ BUŇKY S DLOUHOU VÝDRŽÍ Švýcarští vědci postavili flashovou buňku, ktrá dokáž uchovávat informac v plovoucí bráně vyrobné z grafnu. Díky kanálu z molybdnitu j rychljší a nrgticky výhodnější nž současné flashové buňky. IZOLAČNÍ VRSTVA PLÁNY BUDOUCÍHO VÝVOJE Tým fyziků, ktří úzc spolupracují s nositlm Noblovy cny Konstantinm Novoslovm, přdpokládá, ž první produkty z grafnu přijdou na trh již v dohldné době. Njprv jj najdm v displjích, poté v vysokofrkvnčních tranzistorch určných pro bzdrátovou komunikaci, a za nějakých dst lt bychom s mohli dočkat prvního grafnového procsoru s frkvncí okolo 100 GHz. DOTYKOVÉ DISPLEJE OHEBNÝ E-INK DISPLEJ OHEBNÝ OLED DISPLEJ SVĚTELNÝ SENZOR VYSOKO- FREKVENČNÍ TRANZISTOR LOGICKÝ TRANZISTOR (CPU) OVLÁDACÍ HRADLO DETEKTOR THZ ZÁŘENÍ GENERÁTOR THZ ZÁŘENÍ OXID HRADLA PLOVOUCÍ BRÁNA (MOLYBDENIT) OHYBNÉ DISPLEJE, DOKONALÁ SLUCHÁTKA Dokonalé vlastnosti grafnu lz využít i v počítačových prifriích. Díky průhldnosti a ohbnosti j idální pro výrobu ohbných displjů 1. Grafnové mmbrány mohou přinést dokonalou zvukovou rprodukci i do malých sluchátk VYUŽITÍ: Paměti, batri, displj Grafn má potnciál změnit clou řadu počítačových komponnt. Pravděpodobně al bud njprv využit v displjích. Vytvořní grafnového tranzistoru j prvním krokm k použití grafnu jak v modulch krátkodobé paměti, tak v flashových buňkách, ktré umožní dlouhodobý záznam dat. Flashová buňka pracuj jako tranzistor, takž j-li do ní přiváděn proud, lktrony cstují od mitoru do kolktoru. Jdiným rozdílm j, ž mzi ovládacím hradlm a kanálm j umístěna plovoucí brána. Paměťovou funkci vykonává plovoucí brána, protož jjí bitovou hodnotu při násldném čtní obsahu buňky určuj množství lktronů, ktré jí protč. Plovoucí brána j plněna za pomoci dostatčně vysokého kladného napětí o úrovni 10 V a vyprázdní s při použití odpovídajícího záporného napětí. Výzkumníci z švýcarského tchnologického institutu ETH sstavili flashovou buňku, jjíž plovoucí brána j vyrobna z grafnu. Kanál grafnové buňky j vyrobn z atomické vrstvy molybdnitu (MoS 2 ), v němž s lktrony pohybují stjně fktivně jako v grafnu a mají zakázaný pás o šířc 1,8 V. Grafnová buňka navíc vydrží víc zápisových cyklů nž klasické křmíkové buňky, jaké s používají v SSD nbo USB flash discích, a to proto, ž k jjímu vymazání stačí mnší napětí. Zárovň tak dosahuj i vyšších rychlostí čtní a zápisu. Grafn dokáž nahradit dražší matriály Vynikající vodivost přdurčuj grafn k použití v solárních buňkách a akumulátorch. Exprimnty provdné v Rnsslarském polytchnickém institutu ukázaly, ž díky grafnu lz zkrátit délku nabíjní akumulátorů z dvanácti minut na 90 skund. Díky tomu, ž j grafn njn xtrémně vodivým, al zárovň průhldným matriálm, idálně s hodí pro využití v displjích. Již v roc 2010 byly na Stanfordově univrzitě vyvinuty OLED diody s grafnovými lktrodami, v ktrých grafn nahradil drahou směs oxidu cíničitého a oxidu inditého, zvanou ITO, ktrá s rovněž používá v buňkách solárních panlů. Díky mchanickým vlastnostm, hlavně nízké hmotnosti a vysoké pvnosti a ohbnosti, přdstavuj grafn idální matriál pro výrobu mmbrán do sluchátk. Takovou mmbránu o průměru sdmi milimtrů ndávno vyrobili na univrzitě v Brkly. K jjímu ovládání postačí dvě křmíkové lktrody a kvalita vibrací a produkovaného zvuku j stjně vysoká jako u drahých high-ndových sluchátk. Ndokážm zatím říct, zda grafn splní všchna očkávání, ktrá do tohoto matriálu výzkumníci a výrobci vkládají. Hromadná výroba grafnu j stál v ndohldnu a tchnologi grafnových tranzistorů má pořád řadu nvyřšných problémů. Tým fyziků, ktří úzc spolupracují s nositlm Noblovy cny Konstantinm Novoslovm, zvřjnil plán budoucího vývoj, podl ktrého můžm něktré grafnové produkty, jako například OLED diody, očkávat již v dohldné době. Na grafnový procsor s frkvncí 100 GHz si však počkám jště minimálně dst lt. V každém případě jd al o splnitlný úkol, zatímco 100GHz křmíkový procsor by s sám roztavil /2013 CHIP.CZ

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče 4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univrzita omáš Bati v Zlíně LABORAORNÍ CVIČENÍ Z FYZIKY II Názv úlohy: Voltampérová charaktristika polovodičové diody a žárovky Jméno: Ptr Luzar Skupina: I II/1 Datum měřní: 14.listopadu 7 Obor: Informační

Více

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače Přsný výpočt tranzistorového zsilovač vychází z urční dvojbranových paramtrů tranzistoru a pokračuj sstavním matic obvodu a řšním této matic. Při použití vybraných rovnic z matmatických modlů pro programy

Více

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS VI. Odpor a lktrický proud Obsah 6 ODPOR A ELEKTRICKÝ PROUD 6.1 ELEKTRICKÝ PROUD 6.1.1 HUSTOTA PROUDU 3 6. OHMŮV ZÁKON 4 6.3 ELEKTRICKÁ ENERGIE A VÝKON 6 6.4 SHRNUTÍ 7 6.5 ŘEŠENÉ

Více

2 e W/(m2 K) (2 e) = 0.74 0.85 0.2 1 (1 0.85)(1 0.2) = 0.193. Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami

2 e W/(m2 K) (2 e) = 0.74 0.85 0.2 1 (1 0.85)(1 0.2) = 0.193. Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami Tplo skrz okna pracovní poznámky Jana Hollana Přnos okny s skládá z přnosu zářním, vdním a prouděním. Zářivý přnos Zářivý výkon E plochy S j dl Stfanova-Boltzmannova vyzařovacího zákona kd j misivita plochy

Více

Demonstrace skládání barev

Demonstrace skládání barev Vltrh nápadů učitlů fyziky I Dmonstrac skládání barv DENĚK NAVRÁTIL Přírodovědcká fakulta MU Brno Úvod Studnti střdních škol si často stěžují na nzáživnost nzajímavost a matmatickou obtížnost výuky fyziky.

Více

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout.

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout. Etrém funkc 4. PRŮBĚH FUNKCE Průvodc studim V matmatic, al i v fzic a tchnických oborch s často vsktn požadavk na sstrojní grafu funkc K nakrslní grafu funkc lz dns většinou použít vhodný matmatický softwar.

Více

M ě ř e n í o d p o r u r e z i s t o r ů

M ě ř e n í o d p o r u r e z i s t o r ů M ě ř n í o d p o r u r z s t o r ů Ú k o l : Proměřt sadu rzstorů s nznámým odporm různým mtodam a porovnat přsnost jdnotlvých měřní P o t ř b y : Vz sznam v dskách u úlohy na pracovním stol Obcná část:

Více

28. Základy kvantové fyziky

28. Základy kvantové fyziky 8. Základy kvantové fyziky Kvantová fyzika vysvětluj fyzikální principy mikrosvěta. Mgasvět svět plant a hvězd Makrosvět svět v našm měřítku, pozorovatlný našimi smysly bz jakéhokoli zprostřdkování Mikrosvět

Více

Vývoj energetického hospodářství města Plzně

Vývoj energetického hospodářství města Plzně Magistrát města Plzně Odbor správy infrastruktury Vývoj hospodářství města Plzně Črvn 211 Vývoj nrgtické Vývojj nrgttiické hospodářsttvíí městta Pllzně Obsah 1. Úvod... 2 2. Enrgtika v ČR... 2 3. Enrgtické...

Více

(1) Známe-li u vyšetřovaného zdroje závislost spektrální emisivity M λ

(1) Známe-li u vyšetřovaného zdroje závislost spektrální emisivity M λ Učbní txt k přdnáš UFY Tplné zářní. Zářní absolutně črného tělsa Tplotní zářní a Plankův vyzařovaí zákon Intnzita vyzařování (misivita) v daném místě na povrhu zdroj j dfinována jako podíl zářivého toku

Více

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu - 1 - Tato Příloha 307 j součástí článku: ŠKORPÍK, Jří. Enrgtcké blanc lopatkových strojů, Transformační tchnolog, 2009-10. Brno: Jří Škorpík, [onln] pokračující zdroj, ISSN 1804-8293. Dostupné z http://www.transformacn-tchnolog.cz/nrgtckblanc-lopatkovych-stroju.html.

Více

ZPRAVODAJSTVÍ. Newsletter ISSUE N 04 ÚNOR 2009 STRANA 2 & 4 NOVINKY Z BRUSELU STRANA 3 & 5 ČESKÉ PŘEDSEDNICTVÍ A ZLÍNSKÝ KRAJ

ZPRAVODAJSTVÍ. Newsletter ISSUE N 04 ÚNOR 2009 STRANA 2 & 4 NOVINKY Z BRUSELU STRANA 3 & 5 ČESKÉ PŘEDSEDNICTVÍ A ZLÍNSKÝ KRAJ SPECIÁLNĚ ZAMĚŘENO NA PŮLROK ČESKÉHO PŘEDSEDNICTVÍ ZPRAVODAJSTVÍ STRANA 2 & 4 NOVINKY Z BRUSELU Několik akcí dostalo Zlínský kraj v Bruslu na scénu! Na jdn týdn si události připravné zastoupním monopolizovali

Více

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění Vlv prostupů tpla mz byty na spravdlvost rozúčtování nákladů na vytápění Anotac Fnanční částky úhrady za vytápění mz srovnatlným byty rozpočítané frmam používajícím poměrové ndkátory crtfkované podl norm

Více

1. Určíme definiční obor funkce, její nulové body a intervaly, v nichž je funkce kladná nebo záporná.

1. Určíme definiční obor funkce, její nulové body a intervaly, v nichž je funkce kladná nebo záporná. Matmatika I část II Graf funkc.. Graf funkc Výklad Chcm-li určit graf funkc můžm vužít přdchozích znalostí a určit vlastnosti funkc ktré shrnm do níž uvdných bodů. Můž s stát ž funkc něktrou z vlastností

Více

Postup tvorby studijní opory

Postup tvorby studijní opory Postup tvorby studijní opory RNDr. Jindřich Vaněk, Ph.D. Klíčová slova: Studijní opora, distanční studium, kurz, modl řízní vztahů dat, fáz tvorby kurzu, modl modulu Anotac: Při přípravě a vlastní tvorbě

Více

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9. Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Vyvážené nastavení PI regulátorù

Vyvážené nastavení PI regulátorù Vyvážné nastavní PI rgulátorù doc. Ptr Klán, Ústav informatiky AV ÈR Praha a Univrzita Pardubic, Prof. Raymond Gorz, Cntr for Systms Enginring and Applid Mchanics, Univrsity d Louvain PI nbo PID rgulátory

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Pivovarnictví v Krkonoších

Pivovarnictví v Krkonoších Pivovarnictví v Krkonoších 14. 8. Pivovarnictví v Krkonoších Brwing Br in th Krkonos Brauriwsn im Risngbirg Browarnictwo w Karkonoszach 1. Rudík 2. Žacléř 3. Jilmnic 4. Hostinné 5. Horní Maršov 6. Libč

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II.

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Ústav fyziky a měřicí techniky Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Výrobci, specializované technologie a aplikace Obsah

Více

FLASH PAM TI. David Richter Ing. Karel Kubata

FLASH PAM TI. David Richter Ing. Karel Kubata FLASH PAM TI David Richter Ing. Karel Kubata Flash pam ti Obecná charakterstika: mechanicky odolné,, neobsahující žádné mechanické části uchovávaj vající data bezpřístupu elektrického napětí Použit ití

Více

AMW 469 www.whirlpool.com

AMW 469 www.whirlpool.com AMW 469 C S K R O D E.hirlpool.com 1 C MONTÁŽ SPOTŘEBIČE INSTALACE PŘI INSTALACI SPOTŘEBIČE s řiďt samostatnými přiložnými instalačními pokyny. PŘED PŘIPOJENÍM KONTROLUJTE, DA NAPĚTÍ na typovém štítku

Více

VEJCE MIKROVLNNOU TROUBU nepoužívejte na vaření

VEJCE MIKROVLNNOU TROUBU nepoužívejte na vaření UVNITŘ TROUBY A V JEJÍ BLÍZKOSTI NE- OHŘÍVEJTE, ANI NEPOUŽÍVEJTE HOŘLA- VÉ MATERIÁLY. Kouř můž způsobit nbzpčí požáru nbo výbuchu. DŮLEŽITÉ BEZPEČNOSTNÍ POKYNY PŘEČTĚTE SI PROSÍM POZORNĚ A USCHOVEJTE PRO

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Ročník 14 Číslo 3 ZDARMA 27. března 2013. Den Země. Foto: Archiv Magistrátu města Prostějova

Ročník 14 Číslo 3 ZDARMA 27. března 2013. Den Země. Foto: Archiv Magistrátu města Prostějova Ročník 14 Číslo 3 ZDARMA 27. břzna 2013 Dn Změ Foto: Archiv Magistrátu města Prostějova PŘIJMEME KADEŘNICI JARNÍ NABÍDKA SALONU NAISY NAISY KOSMETICKÉ A KADEŘNICKÉ STUDIO KOSMETIKA kromě naší stálé nabídky

Více

Vozítko na solární pohon. Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7

Vozítko na solární pohon. Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7 Vozítko na solární pohon Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7 Krátký souhrn projektu: Náš tým věří, že perspektiva lidstva leží v obnovitelných zdrojích. Proto jsme se rozhodli

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka.

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka. PSK1-14 Název školy: Autor: Anotace: Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka Optické zdroje a detektory Vzdělávací oblast: Informační a komunikační technologie Předmět:

Více

VY_32_INOVACE_2_3_INF_KN. Datová úložiště

VY_32_INOVACE_2_3_INF_KN. Datová úložiště VY_32_INOVACE_2_3_INF_KN Datová úložiště Název výukového materiálu Datová úložiště Anotace Formou frontální prezentace se žáci dozví, jaké byly možnosti ukládání dat a současně si připomenou, jaká úložiště

Více

Přechodové jevy RC. Řešení přechodového jevu v obvodech 1. řádu RC. a) varianta nabíjení ideálního kondenzátoru u C (t)

Přechodové jevy RC. Řešení přechodového jevu v obvodech 1. řádu RC. a) varianta nabíjení ideálního kondenzátoru u C (t) čbní xy pro Elkrochnik Ing. Kindrá Alxandr Přchodové jvy Účlm éo knihy j nači sdny řši přchodové jvy v obvodch. řád yp a sznámi j s oricko problmaiko přchodových jvů v obvodch. řádů yp. Přchodové jvy v

Více

BMDACCOUNT Integrované řešení pro informační systém podniku

BMDACCOUNT Integrované řešení pro informační systém podniku [BUSINESS ] SOFTWARE Intgrované řšní pro informační systém podniku Clkové řšní pro daňové poradc a auditory Kompltní řšní pro účtnictví Od faktury po kompltní řšní ERP CRM s přidanou hodnotou PROJECT Clkové

Více

Mikrokontroléry. Doplňující text pro POS K. D. 2001

Mikrokontroléry. Doplňující text pro POS K. D. 2001 Mikrokontroléry Doplňující text pro POS K. D. 2001 Úvod Mikrokontroléry, jinak též označované jako jednočipové mikropočítače, obsahují v jediném pouzdře všechny podstatné části mikropočítače: Řadič a aritmetickou

Více

Informatika teorie. Vladimír Hradecký

Informatika teorie. Vladimír Hradecký Informatika teorie Vladimír Hradecký Z historie vývoje počítačů První počítač v podobě elektrického stroje v době 2.sv. války název ENIAC v USA elektronky velikost několik místností Vývoj počítačů elektronky

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

Obsah. Historický vývoj Jednotlivé technologie 3D technologie Zobracovací zařízení Budoucnost

Obsah. Historický vývoj Jednotlivé technologie 3D technologie Zobracovací zařízení Budoucnost Radek Lacina Obsah Historický vývoj Jednotlivé technologie 3D technologie Zobracovací zařízení Budoucnost Historie Bratři Lumiérové 1895 patentován kinematograf 35 mm film, 16 fps (převzato od Edisona)

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

SLOVO ÚVODEM Vážení členové TJ, vážení rodiče,

SLOVO ÚVODEM Vážení členové TJ, vážení rodiče, SLOVO ÚVODEM Vážní člnové TJ, vážní rodič, Szón 2014/2015 s blíží do svého konc. I v ltošním ročníku jsm s dočkli clé řdy zjímvých bojů situcí. Extrligoví mldší bojovli přvážnou část szóny o záchrnu. Po

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Naše anketa Jan Brunclík (68), důchodce, podnájemník Já barák nemám,

Naše anketa Jan Brunclík (68), důchodce, podnájemník Já barák nemám, SERVIS Dsatro pro vaš bzpčí O tom, jak s chovat v nbzpčí, na co dávat hlavně pozor a kd hldat pomoc, čtět na str. 3 a 5 Výzva do roku 2006 J tu opět nový rok. Rok, do ktrého všm z srdc přjm hodně štěstí

Více

Vánoce se kvapem blíží V pátek 29. listopadu rozsvítíme vánoční strom!

Vánoce se kvapem blíží V pátek 29. listopadu rozsvítíme vánoční strom! Ročník 14 Číslo 11 ZDARMA 27. listopadu 2013 Vánoc s kvapm blíží V pátk 29. listopadu rozsvítím vánoční strom! Foto: Archiv MMPv 5 Katalog nmovitostí ralitní kanclář DACHI, s.r.o. Mgr. Mark Novotný řditl

Více

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska 3. Maturitní otázka Počítač, jeho komponenty a periferní zařízení (principy fungování, digitální záznam informací, propojení počítače s dalšími (digitálními) zařízeními) Počítač je elektronické zařízení,

Více

Drozdovický rybník revitalizován

Drozdovický rybník revitalizován Ročník 14 Číslo 7 ZDARMA 31. črvnc 2013 Drozdovický rybník rvitalizován Foto: Archiv MMPv VáM SDìLUJE, ŽE ZLATNICTVí KALáBOVá + K V PROSTìJOVì NENí NAŠí POBOèKOU ANI OBCHODNíM PARTNEREM. Ing. Jana Jančková

Více

Fotografujeme módu. Móda. Móda v exteriéru v interiéru. černobíle. Jak na to

Fotografujeme módu. Móda. Móda v exteriéru v interiéru. černobíle. Jak na to Fotografujm módu Módní fotografi j všud kolm nás. Nalznm ji v katalozích, spolčnských magazínch i billboardch. Má mnohé skvělé autory, i když fotografování módy nní jdnoduché. Jd o jdno z njnáročnějších

Více

Na Zemi tvoří vodík asi 15 % atomů všech prvků. Chemické slučování je děj, při kterém z látek jednodušších vznikají látky složitější.

Na Zemi tvoří vodík asi 15 % atomů všech prvků. Chemické slučování je děj, při kterém z látek jednodušších vznikají látky složitější. Nejjednodušší prvek. Na Zemi tvoří vodík asi 15 % atomů všech prvků. Chemické slučování je děj, při kterém z látek jednodušších vznikají látky složitější. Vodík tvoří dvouatomové molekuly, je lehčí než

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Uchovávání dat v SSD

Uchovávání dat v SSD Uchovávání dat v SSD Co se děje s mými daty? Aleš Padrta Karel Nykles 1 Obsah Úvodní slovo Technické pozadí Technologie flash Servisní procedury Kontroler Experimenty Testovací prostředí Výsledky Shrnutí

Více

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice KAPITOLA 2: PRVEK Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích Institute of Technology And Business In České Budějovice Tento učební materiál vznikl v rámci projektu "Integrace a podpora

Více

Hanáci z blízkého i vzdáleného okolí míří do Prostějova!

Hanáci z blízkého i vzdáleného okolí míří do Prostějova! Ročník 14 Číslo 8 ZDARMA 28. srpna 2013 Hanáci z blízkého i vzdálného okolí míří do Prostějova! Foto: Archiv MMPv Proč do Lázní Slatinic? Za zdravou kůží do Slatinic Sirné minrální vody mají obcně dzinfkční,

Více

Úhrada za ústřední vytápění bytů II

Úhrada za ústřední vytápění bytů II Úhrada za úsřdní vyápění byů II Anoac Článk j druhým z séri příspěvků, krými jsou prsnovány dlouholé výsldky prác na Tchnické univrziě v Librci v oblasi rozpočíávání nákladů na vyápění pomocí poměrových

Více

Osobní počítač. Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011

Osobní počítač. Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011 Osobní počítač Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011 Charakteristika PC Osobní počítač (personal computer - PC) je nástroj člověka pro zpracovávání informací Vyznačuje se schopností samostatně pracovat

Více

Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita

Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita BaBar SLAC Zbyněk Drásal 1 Historie diodového jevu v polovodičích Objev tzv. Halbleiteru (polovodiče) bodový kontakt kovu a krystalu (PbS) usměrňuje proud

Více

Testové otázky za 2 body

Testové otázky za 2 body Přijímací zkoušky z fyziky pro obor PTA K vypracování písemné zkoušky máte k dispozici 90 minut. Kromě psacích potřeb je povoleno používání kalkulaček. Pro úspěšné zvládnutí zkoušky je třeba získat nejméně

Více

2015/16 *) Výrobce produktů POHODA je společnost STORMWARE. POHODA je licencovaná ochranná známka STORMWARE.

2015/16 *) Výrobce produktů POHODA je společnost STORMWARE. POHODA je licencovaná ochranná známka STORMWARE. lu p čárové kódy - logitika - komunikac automatizac proců znační produktů optimalizac pcializovaná řšní pro POHODU *) různé účly a oblati naazní připojní k MDB, SQL i E1 rgonomická a fktivní obluha podpora,

Více

Teplotní profil průběžné pece

Teplotní profil průběžné pece Teplotní profil průběžné pece Zadání: 1) Seznamte se s měřením teplotního profilu průběžné pece a s jeho nastavením. 2) Osaďte desku plošného spoje SMD součástkami (viz úloha 2, kapitoly 1.6. a 2) 3) Změřte

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

Elektrické vlastnosti. Základní pojmy Elektrická vodivost Elektrostatické chování polymerů

Elektrické vlastnosti. Základní pojmy Elektrická vodivost Elektrostatické chování polymerů Elektrické vlastnosti Základní pojmy Elektrická vodivost Elektrostatické chování polymerů Typy materiálů Látky umístěné v elektrickém poli: transport elektricky nabitých částic, tj. vzniká elektrický proud

Více

Ing. Radovan Beťko Web editor: Ing. Martin Lukáčik

Ing. Radovan Beťko Web editor: Ing. Martin Lukáčik Ý Ing. Radovan Bťko Wb ditor: Ing. Martin Lukáčik Obsah Radovan BEŤKO: Výbr portfólia na báz dlhodobých historických charaktristík aktív 4 Michal R. ČERNÝ: Růstové křivky v konomtrii 2 Zuzana ČIČKOVÁ,

Více

ÚSPĚŠNÉ A NEÚSPĚŠNÉ INOVACE LED MODRÁ DIODA. Hana Šourková 15.10.2013

ÚSPĚŠNÉ A NEÚSPĚŠNÉ INOVACE LED MODRÁ DIODA. Hana Šourková 15.10.2013 1 ÚSPĚŠNÉ A NEÚSPĚŠNÉ INOVACE LED MODRÁ DIODA Hana Šourková 15.10.2013 1 Osnova LED dioda Stavba LED Historie + komerční vývoj Bílé světlo Využití modré LED zobrazovací technika osvětlení + ekonomické

Více

KINETICKÁ TEORIE PLYNŮ

KINETICKÁ TEORIE PLYNŮ KIETICKÁ TEOIE PLYŮ. Cíl a řdoklady - snaží s ysětlit akroskoické choání lynů na základě choání jdnotliých olkul (jjich rychlostí, očtu nárazů na stěnu nádoby, srážk s ostatníi olkulai). Tato tori br úahu

Více

DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 1 / 30 DRÄGER MOBILE PRINTER. DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 2 / 30

DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 1 / 30 DRÄGER MOBILE PRINTER. DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 2 / 30 October 2006 1 / 30 DRÄGER MOBILE PRINTER October 2006 2 / 30 Vlastnosti I Uživatelsky přívětivá obsluha dovoluje používat bez zvláštních nároků na vyškolení a zamezuje vzniku chyb při provozu. Rychlá

Více

Věra Mansfeldová. vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.

Věra Mansfeldová. vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. Mikroskopie, která umožnila vidět Feynmanův svět Věra Mansfeldová vera.mansfeldova@jh-inst.cas.cz Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i. Richard P. Feynman 1918-1988 1965 - Nobelova

Více

VODIVOST x REZISTIVITA

VODIVOST x REZISTIVITA VODIVOST x REZISTIVITA Ohmův v zákon: z U = I.R = ρ.l.i / S napětí je přímo úměrné proudu, který vodičem prochází drát délky l a průřezu S, mezi jehož konci je napětí U ρ převrácená hodnota měrné ele.

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

Hardware I. VY_32_INOVACE_IKT_668

Hardware I. VY_32_INOVACE_IKT_668 VY_32_INOVACE_IKT_668 Hardware I. Autor: Marta Koubová, Mgr. Použití: 5-6. třída Datum vypracování: 21.9.2012 Datum pilotáže: 1.10.2012 Anotace: Tato prezentace slouží k bližšímu seznámení s pojmem hardware.

Více

POŽADAVEK NA SNIŽOVÁNÍ ODTOKOVÝCH KONCENTRACÍ FOSFORU JE V BOJI PROTI EUTROFIZACI TOKŮ I U MALÝCH ČOV AKTUÁLNÍ.

POŽADAVEK NA SNIŽOVÁNÍ ODTOKOVÝCH KONCENTRACÍ FOSFORU JE V BOJI PROTI EUTROFIZACI TOKŮ I U MALÝCH ČOV AKTUÁLNÍ. POŽADAVEK NA SNIŽOVÁNÍ ODTOKOVÝCH KONCENTRACÍ FOSFORU JE V BOJI PROTI EUTROFIZACI TOKŮ I U MALÝCH ČOV AKTUÁLNÍ. Ing. Jan Follr, Martin Eyr, Vodárnská akciová spolčnost, a.s. OČEKÁVANÝ CÍLOVÝ STAV NORMY

Více

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny.

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny. Psaní testu Pokyny k vypracování testu: Za nesprávné odpovědi se poměrově odečítají body. Pro splnění testu je možné využít možnosti neodpovědět maximálně u šesti o tázek. Doba trvání je 90 minut. Způsob

Více

ZPRAVODAJSTVÍ. Newsletter ISSUE N 01 LEDEN 2009 STRANA 2-4 NOVINKY Z BRUSELU STRANA 5!ESKÉ P"EDSEDNICTVÍ STRANA 6 V#ZVY K P"EDKLÁDÁNÍ NÁVRH$

ZPRAVODAJSTVÍ. Newsletter ISSUE N 01 LEDEN 2009 STRANA 2-4 NOVINKY Z BRUSELU STRANA 5!ESKÉ PEDSEDNICTVÍ STRANA 6 V#ZVY K PEDKLÁDÁNÍ NÁVRH$ SPECIÁLN% ZAM%"ENO NA ESKÉ P"EDSEDNICTVÍ V RAD% EU ZPRAVODAJSTVÍ STRANA 2-4 NOVINKY Z BRUSELU Dn 22. - 24. 1. 2009 s v Luha"ovicích sjdou minist#i prác a sociálních v%cí z clé Evropy, aby zd prodiskutovali

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Jana

Více

ROZPIS soutěží X. GRAND PRIX Hradec Králové

ROZPIS soutěží X. GRAND PRIX Hradec Králové ROZPIS soutěží X GRAND PRIX Hradc Králové Základní údaj Katgori B Pořadatl : Hradcký jzdcký klub, Hradčnic 99 9 Hradc Králové tl: 6349, 669 Číslo závodů : 9F 3 Datum konání : - 3 srpna 4 Místo konání :

Více

MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE

MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE Definice pojmů sdílení tepla a tepelná vodivost Základní principy MIKROPORÉZNÍ TECHNOLOGIE Definice pojmů sdílení tepla a tepelná vodivost Co je to tepelná izolace? Jednoduše řečeno

Více

Témata profilové maturitní zkoušky

Témata profilové maturitní zkoušky Střední průmyslová škola elektrotechniky, informatiky a řemesel, Frenštát pod Radhoštěm, příspěvková organizace Témata profilové maturitní zkoušky Obor: Elektrotechnika Třída: E4A Školní rok: 2010/2011

Více

2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY

5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY 5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY Požadavky: získání vysokých magnetických kvalit, úspora drahých kovů a náhrada běžnými materiály. Podle magnetických vlastností dělíme na: 1. Diamagnetické látky 2. Paramagnetické

Více

Elektřina a magnetizmus

Elektřina a magnetizmus Elektřina a magnetizmus Elektrický náboj Všechny věci kolem nás se skládají z atomů. Atom obsahuje jádro (tvořené protony a neutrony) a obal tvořený elektrony. Protony a elektrony jsou částice elektricky

Více

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem.

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Jednoduchý Mosfet Sharkus Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Zřejmě každý majitel AEG zbraně dříve či později narazí na opálené kontakty spouště. Průvodním jevem je nespolehlivé spínání spouště,

Více

Paměti Josef Horálek

Paměti Josef Horálek Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

Rady mě sta Frýdku- Místku

Rady mě sta Frýdku- Místku ZPRAVODAJ Rady mě sta Frýdku- Místku Břzn 2008 č. 6 Ročník XVIII. Náklad 25 000 Zdarma do všch schránk Téma zpravodaj otvřné dopisy Odpověď na otvřný dopis opozic Vážná kolgyně, vážní kolgové, vlmi nás

Více

4.2.12 Spojování rezistorů I

4.2.12 Spojování rezistorů I 4.2.2 Spojování rezistorů Předpoklady: 4, 4207, 420 Jde nám o to nahradit dva nebo více rezistorů jedním rezistorem tak, aby nebylo zvenku možné poznat rozdíl. Nová součástka se musí vzhledem ke zbytku

Více

Elektrický proud v kapalinách

Elektrický proud v kapalinách Elektrický proud v kapalinách Kovy obsahují volné (valenční) elektrony a ty způsobují el. proud. Látka se chemicky nemění (vodiče 1. třídy). V polovodičích volné náboje připravíme uměle (teplota, příměsi,

Více

Specifikace VT 11 ks. Ultrabook dle specifikace v příloze č. 1 11 ks. 3G modem TP-LINK M5350

Specifikace VT 11 ks. Ultrabook dle specifikace v příloze č. 1 11 ks. 3G modem TP-LINK M5350 Specifikace VT 11 ks. Ultrabook dle specifikace v příloze č. 1 Prodloužená záruka 3 roky 11 ks. 3G modem TP-LINK M5350 11 ks. MS Office 2013 pro podnikatele CZ 11 ks. brašna 11 ks. bezdrátová myš 5 ks.

Více

3.4.12 Konstrukce na základě výpočtu II

3.4.12 Konstrukce na základě výpočtu II 3.4. Konstruk n záklě výpočtu II Přpokly: 34 Př. : J án úsčk o jnotkové él úsčky o élkáh,, >. Nrýsuj: ) úsčku o él = +, ) úsčku o él Při rýsování si élky úsčk, vhoně zvol. =. Prolém: O výrzy ni náhoou

Více

KAPITOLA 1 - ZÁKLADNÍ POJMY INFORMAČNÍCH A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ

KAPITOLA 1 - ZÁKLADNÍ POJMY INFORMAČNÍCH A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ KAPITOLA 1 - ZÁKLADNÍ POJMY INFORMAČNÍCH A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ KLÍČOVÉ POJMY technické vybavení počítače uchování dat vstupní a výstupní zařízení, paměti, data v počítači počítačové sítě sociální

Více