GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný,

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný,"

Transkript

1 VLASTNOSTI GRAFENU TLOUŠŤKA: Při tloušťc 0,34 nanomtru j grafn milionkrát tnčí nž list papíru. HMOTNOST: Grafn j xtrémně lhký. Kilomtr čtvrčný tohoto matriálu váží jn 757 gramů. PEVNOST: V směru vrstvy j grafn stjně pvný jako diamant. PRŮSVITNOST: Grafn j průhldnější nž sklo pohlcuj pouz 2,3 procnta procházjícího světla. ELEKTRICKÁ VODIVOST: Miliardkrát vyšší nž u obohacného křmíku používaného při výrobě počítačových procsorů. Zázračný matriál GRAFEN Pomocí sítě atomů uhlíku budou počítač pracovat rychlji. Grafn s bud brzy používat v řadě komponnt. MARKUS MANDAU Zabývá s výkonnostními limity současných počítačů. Věří, ž pokud by grafnová tchnologi fungovala, mohla by výrazně posunout výkon současné PC tchnologi. Žádný matriál na světě nní tak lhký, pvný a propustný, a přsto tak ohbný jako tn, ktrý běžně najdm na konci obyčjné tužky. Tuha j vyrobna z grafitu, tdy uhlíku v krystalické podobě. Při psaní s třním přnášjí jdnotlivé atomové vrstvy tuhy z špičky tužky na list papíru. Pokud s na papíru zachytí pouz vrstva o tloušťc jdnoho atomu uhlíku, vzniká vrstva grafnu. Grafn j xtrémně stabilní a zárovň vlic ohbný matriál. Stjně dobř, možná dokonc jště lép nž kovy dokáž vodit tplo i lktřinu a přitom propouští světlo lép nž sklo. Elktrony s grafnm pohybují téměř stokrát rychlji nž křmíkm, ktrý j dns základním matriálm pro výrobu polovodičů. Využití grafnu by přinslo ohromné zvýšní výkonu počítačových čipů. Grafn byl objvn přd dvíti lty. Fyzikové Andr Gim a Konstantin Novoslov odbírali za pomoci lpicí pásky postupně jdnotlivé vrstvy grafitu, dokud jim nzbyla posldní vrstva o tloušťc jdiného atomu. Za objv grafnu dostali v roc 2010 Noblovu cnu. Kvality grafnu jsou známé, otázkou zůstává, k čmu všmu by bylo možné tnto zázračný matriál využít. Odpověď na tuto otázku má pro Evropskou unii hodnotu miliardy ur. Přsně tolik pněz totiž hodlá EU běhm příštích dsti lt vložit do podpory výzkumných projktů souvisjících s využitím grafnu. Zkoumání vlastností a možností grafnu s však nvěnují pouz státy, al i vlké IT firmy, jako jsou Nokia nbo Samsung. Sotva přdstavitlný tchnologický skok Přdstava 100GHz procsoru nbo batrií, ktré by bylo možné dobít běhm několika skund, samozřjmě láká vědc i invstory po clém světě. Využít ohromný potnciál, ktrý díky svým vlastnostm grafn skrývá, al nní tak jdnoduché. Tnto matriál totiž vd lktrický proud příliš dobř na to, aby jj bylo možné použít na výrobu tranzistorů v podobě, v jaké j znám dns, takž by musla být jjich architktura pozměněna. Jdnoduššího využití s grafn můž dočkat při vývoji displjů, batrií, solárních buněk a dokonc sluchátk. Na násldujících stránkách vám ukážm řadu projktů, v ktrých hraj grafn hlavní roli /2013 CHIP.CZ

2 VLASTNOSTI: Extrémně vodivý a odolný Elktrony probíhají grafnm mnohm rychlji nž křmíkm. Tnto matriál j navíc odolný, ohbný a propustný. Tajmství grafnu nám osvětlí jdiný pohld na jho atomovou strukturu. Síť šstihranných atomů uhlíku j vytvořna tak, ž tři z čtyř vnějších lktronů tvoří vazbu s okolními atomy uhlíku. Posldní, čtvrtý lktron s nachází na orbitu a j umístěn kolmo na plástv uhlíkové struktury. Svazky tří valnčních lktronů tvoří síť uhlíkových atomů a čtvrtý volný lktron dokáž vést lktrickou nrgii nbo tplo. Díky pvným vazbám mzi atomy uhlíku j vrstva grafnu stjně pvná jako diamant a lz ji poškodit pouz po vyvinutí vlic značné síly. Struktura sítě atomů grafnu j al zárovň dostatčně pružná a dokáž s roztáhnout až o 20 procnt. Konstantin Novoslov, ktrý za objv grafnu získal spolu s Andr Gimm Noblovu cnu, dál zjistil, ž za pomoci určitých katalyzátorů (palladium, nikl) a dostatčného množství náhradních uhlíkových atomů s poškozná struktura sítě grafnu dokáž sama opravit. Z hldiska vývoj počítačových tchnologií j zajímavý hlavně čtvrtý volný lktron, protož grafn má jdnu zajímavou vlastnost, a to ž nrgtická hladina lktronů, ktré s volně pohybují grafnm, a nrgtická hladina čtvrtého vnějšího lktronu s přkrývají. Díky tomu s skrz strukturu grafnu pohybují lktrony větší rychlostí a téměř bz odporu. Grafnové tranzistory, ktré by mohly tvořit základ budoucích procsorů, by mohly pracovat s vyšším kmitočtm nž tranzistory křmíkové, a přsto by s nijak nzahřívaly. Spolčnost IBM vyvinula v roc 2010 tranzistor, ktrý pracuj s kmitočtm 100 GHz. Obtíž s sériovou výrobou Vškré přísliby masového využití grafnu stojí a padají s možností hromadné výroby, ktrá zajistí jho cnovou dostupnost. V současnosti xistuj několik st patntovaných způsobů výroby grafnu, zmíním al pouz tři njznámější. Prvním j tzv. xfoliac, běhm ktré s z grafitu odštěpují vločky grafnu o délc jdnoho milimtru. Výtěžky tohoto procsu stačí pro výzkumné účly, al n pro sériovou výrobu. Grafn lz dál vyrábět rdukcí karbidu křmíku, tdy postupm, při ktrém s odpařuj křmík při tplotě okolo C, přičmž na povrchu vzniká vrstva uhlíku. Pokud s tato vrstva dostan do styku s plynm obsahujícím uhlík, tn s usadí v mzrách po křmíku. Touto mtodou s vyrábí wafry o průměru 50 mm, ktré obsahují vrstvu grafnu a podkladovou vrstvu z karbidu křmíku. Tyto wafry lz využít i pro výrobu tranzistorů, al povrch, na ktrém j grafn umístěn, zpomaluj tok lktronů. Pohyblivost lktronů v grafnu na takovém nosném povrchu j na úrovni cm 2 /Vs, což j sic víc nž u dopovaného křmíku (1 400 cm 2 /Vs), al mnohm méně, nž j tortický limit grafnu ( cm 2 /Vs). Při výrobě pomocí dpozic chmickým odpařováním (tdy tzv. CVD, Chmical Vapor Dposition) vzniká matriál s pohyblivostí lktronů cm 2 /Vs. Při výrobě mtodou CVD dochází k tvorbě grafnu rozkladm plynu obsahujícího uhlík na měděném povrchu při tplotě 900 C. Jlikož měď al nní vhodným nosným matriálm, j nutné ji odstranit a grafnovou vrstvu přmístit na křmíkový substrát. Mtoda CVD s zatím jví jako njlpší varianta pro sériovou výrobu. 08/2013 CHIP.CZ OD GRAFITU KE GRAFENU Grafn získám oddělním jdné atomové vrstvy z tak běžného matriálu, jako j grafit 1. Pod lktronovým mikroskopm 2 vidím pravidlnou šstiúhlnou strukturu grafnu. 1 SÍŤ ATOMŮ UHLÍKU V struktuř grafnu jsou tři vnější lktrony atomu uhlíku spojny s sousdícími atomy uhlíku, čtvrtý lktron zůstává nvázaný. Díky třm lktronovým vrstvám j grafn pvný a čtvrtý lktron zajišťuj jho vodivost. JÁDRO ATOMU ELEKTRON STRUKTURA GRAFENU SE DOKÁŽE SAMA OPRAVIT Na Manchstrské univrzitě zjistili, ž poškozná struktura grafnu s dokáž za pomoci katalyzátoru sama opravit. K opravě j třba jn doplnit potřbné množství náhradních atomů uhlíku. Grafn j stál poměrně drahý matriál. Čtyři malé dstičky grafnu umístěné na křmíkovém substrátu přijdou v intrntovém obchodě graphna.com na téměř 250 ur. 2 ATOM 43

3 TVORBA ZAKÁZANÉHO PÁSU U GRAFENU Křmíkové tranzistory pracují pouz thdy, pokud s lktrony nachází v vodivostním pásu. Pro přchod z valnčního pásu do vodivostního musí přkonat bariéru tzv. zakázaného pásu. Grafn zakázaný pás nmá, takž tranzistor s nustál nachází v spnutém stavu. ENERGIE KŘEMÍK Křmíkový tranzistor j spnutý, pokud jím prochází lktrický proud 1. V takovém případě s v substrátu otvírá kanál, ktrým protékají lktrony od mitoru do kolktoru 2. IZOLAČNÍ VRSTVA 1,1 V VALENČNÍ PÁS GRAFEN VODIVOSTNÍ PÁS ROZDÍL MEZI KŘEMÍKOVÝM A GRAFENOVÝM TRANZISTOREM 1 IONTY HELIA 2 BRÁNA OXID HRADLA Grafnový tranzistor potřbuj k spnutí dvě hradla. Struktura grafnových vazb j navíc narušna ostřlováním ionty hlia, díky ktrému vzniká zakázaný pás. GRAFENOVÁ PÁSKA 0,5 V Řšní: Zakázaný pás u grafnu lz podl zjištění vědců z Manchstrské univrzity vytvořit jho zvlněním do podoby tzv. grafnové pásky (Grafn Nano Ribbon, GNR). HRADLA TRANZISTORY: Grafnová architktura Přchod z křmíkových na grafnové tranzistory nbud snadný bud nutné poněkud změnit strukturu tranzistoru. Tranzistory jsou základními součástkami počítačů, protož každý z těchto miniaturních obvodů rprzntuj jdn bit. Dns jsou vyráběny z polovodivého křmíku, ktrý obsahuj čtyři valnční lktrony, jž jsou všchny propojny vazbami s sousdními atomy. Na rozdíl od grafnu s v něm nnachází volný lktron. Kanál křmíkového tranzistoru s otvírá poté, co j do tranzistoru přivdn proud a lktrony s v něm pohybují od mitoru (sourc) k kolktoru (drain), přičmž křmík tranzistoru j obohacn o atomy jiných prvků. Emitor a kolktor jsou například tzv. n-dopované a jsou do nich přidávány třba atomy arznu s pěti vnějšími lktrony. Přidáním atomů arznu k atomům křmíku dochází k obohacní o jdn volný lktron. Kanál tranzistoru j na druhou stranu p-dopovaný například bórm, ktrý má pouz tři vnější lktrony, to znamná, ž v své struktuř má volnou díru pro jdn lktron. Pohyb lktronů j vyvolán lktrickým proudm, jhož síla závisí na úrovni dopování použitého matriálu. Křmík má šířku zakázaného pásu 1,1 lktronvoltu (V), což j hodnota udávající množství nrgi potřbné k uvolnění vnějšího valnčního lktronu z valnčního pásu do pásu vodivostního. Tranzistor propouští lktrickou nrgii pouz pokud s nachází v vodivostním pásu a lktrony prochází od mitoru k kolktoru. Oproti tomu grafn nmá zakázaný pás a jho lktrony s nustál nachází v vodivostním pásu. Grafnový tranzistor j nustál vodivý, a to pokud do něj npřichází proud. Rformovaný grafn s stává polovodičm Aby bylo možné z grafnu vyrábět tranzistory, musí tnto matriál obsahovat zakázané pásmo lktronů. Výzkumníci upravili grafn pomocí tchnologi karbidu křmíku tak, ž obsahuj tzv. nanopásma. Úpravou grafnu do vlnovité podoby dosáhli vytvořní zakázaného pásma o šířc 0,5 V. Japonští vědci jsou jště o krok dál. Pomocí mtody CVD dokázali vyrobit grafnový tranzistor o rozměru 30 nm. Tato vlikost již odpovídá tchnologii 22nm tranzistorů Intl Tri-Gat. Japonský tranzistor používá s ohldm na omznou šířku zakázaného pásma k řízní průchodu lktronů dvě brány. Ty jsou vytvořny za pomoci ostřlování grafnu ionty hlia, ktré má za násldk narušní pravidlné struktury atomů grafnu. Japonský výzkum s nyní zaměřuj na možnost výroby grafnových wafrů obsahujících tyto tranzistory a v současnosti zkoumá použitlné tchnologi, ktré by dokázaly zajistit jjich dostatčně fktivní a konomickou výrobu. Možná al bud nutné při vývoji idálního grafnového tranzistoru opustit tradiční schéma této základní počítačové součástky. Výsldkm projktu Manchstrské univrzity j koncpt dvou grafnových vrstv vyrobných mtodou CVD, jž jsou oddělny vrstvou disulfidu wolframu (WS2), ktrá vytváří zakázané pásmo o šířc 2,1 V, jímž procházjí lktrony obou vrstv grafnu /2013 CHIP.CZ

4 PLACENÁ INZERCE

5 RYCHLÉ FLASHOVÉ BUŇKY S DLOUHOU VÝDRŽÍ Švýcarští vědci postavili flashovou buňku, ktrá dokáž uchovávat informac v plovoucí bráně vyrobné z grafnu. Díky kanálu z molybdnitu j rychljší a nrgticky výhodnější nž současné flashové buňky. IZOLAČNÍ VRSTVA PLÁNY BUDOUCÍHO VÝVOJE Tým fyziků, ktří úzc spolupracují s nositlm Noblovy cny Konstantinm Novoslovm, přdpokládá, ž první produkty z grafnu přijdou na trh již v dohldné době. Njprv jj najdm v displjích, poté v vysokofrkvnčních tranzistorch určných pro bzdrátovou komunikaci, a za nějakých dst lt bychom s mohli dočkat prvního grafnového procsoru s frkvncí okolo 100 GHz. DOTYKOVÉ DISPLEJE OHEBNÝ E-INK DISPLEJ OHEBNÝ OLED DISPLEJ SVĚTELNÝ SENZOR VYSOKO- FREKVENČNÍ TRANZISTOR LOGICKÝ TRANZISTOR (CPU) OVLÁDACÍ HRADLO DETEKTOR THZ ZÁŘENÍ GENERÁTOR THZ ZÁŘENÍ OXID HRADLA PLOVOUCÍ BRÁNA (MOLYBDENIT) OHYBNÉ DISPLEJE, DOKONALÁ SLUCHÁTKA Dokonalé vlastnosti grafnu lz využít i v počítačových prifriích. Díky průhldnosti a ohbnosti j idální pro výrobu ohbných displjů 1. Grafnové mmbrány mohou přinést dokonalou zvukovou rprodukci i do malých sluchátk VYUŽITÍ: Paměti, batri, displj Grafn má potnciál změnit clou řadu počítačových komponnt. Pravděpodobně al bud njprv využit v displjích. Vytvořní grafnového tranzistoru j prvním krokm k použití grafnu jak v modulch krátkodobé paměti, tak v flashových buňkách, ktré umožní dlouhodobý záznam dat. Flashová buňka pracuj jako tranzistor, takž j-li do ní přiváděn proud, lktrony cstují od mitoru do kolktoru. Jdiným rozdílm j, ž mzi ovládacím hradlm a kanálm j umístěna plovoucí brána. Paměťovou funkci vykonává plovoucí brána, protož jjí bitovou hodnotu při násldném čtní obsahu buňky určuj množství lktronů, ktré jí protč. Plovoucí brána j plněna za pomoci dostatčně vysokého kladného napětí o úrovni 10 V a vyprázdní s při použití odpovídajícího záporného napětí. Výzkumníci z švýcarského tchnologického institutu ETH sstavili flashovou buňku, jjíž plovoucí brána j vyrobna z grafnu. Kanál grafnové buňky j vyrobn z atomické vrstvy molybdnitu (MoS 2 ), v němž s lktrony pohybují stjně fktivně jako v grafnu a mají zakázaný pás o šířc 1,8 V. Grafnová buňka navíc vydrží víc zápisových cyklů nž klasické křmíkové buňky, jaké s používají v SSD nbo USB flash discích, a to proto, ž k jjímu vymazání stačí mnší napětí. Zárovň tak dosahuj i vyšších rychlostí čtní a zápisu. Grafn dokáž nahradit dražší matriály Vynikající vodivost přdurčuj grafn k použití v solárních buňkách a akumulátorch. Exprimnty provdné v Rnsslarském polytchnickém institutu ukázaly, ž díky grafnu lz zkrátit délku nabíjní akumulátorů z dvanácti minut na 90 skund. Díky tomu, ž j grafn njn xtrémně vodivým, al zárovň průhldným matriálm, idálně s hodí pro využití v displjích. Již v roc 2010 byly na Stanfordově univrzitě vyvinuty OLED diody s grafnovými lktrodami, v ktrých grafn nahradil drahou směs oxidu cíničitého a oxidu inditého, zvanou ITO, ktrá s rovněž používá v buňkách solárních panlů. Díky mchanickým vlastnostm, hlavně nízké hmotnosti a vysoké pvnosti a ohbnosti, přdstavuj grafn idální matriál pro výrobu mmbrán do sluchátk. Takovou mmbránu o průměru sdmi milimtrů ndávno vyrobili na univrzitě v Brkly. K jjímu ovládání postačí dvě křmíkové lktrody a kvalita vibrací a produkovaného zvuku j stjně vysoká jako u drahých high-ndových sluchátk. Ndokážm zatím říct, zda grafn splní všchna očkávání, ktrá do tohoto matriálu výzkumníci a výrobci vkládají. Hromadná výroba grafnu j stál v ndohldnu a tchnologi grafnových tranzistorů má pořád řadu nvyřšných problémů. Tým fyziků, ktří úzc spolupracují s nositlm Noblovy cny Konstantinm Novoslovm, zvřjnil plán budoucího vývoj, podl ktrého můžm něktré grafnové produkty, jako například OLED diody, očkávat již v dohldné době. Na grafnový procsor s frkvncí 100 GHz si však počkám jště minimálně dst lt. V každém případě jd al o splnitlný úkol, zatímco 100GHz křmíkový procsor by s sám roztavil /2013 CHIP.CZ

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče 4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univrzita omáš Bati v Zlíně LABORAORNÍ CVIČENÍ Z FYZIKY II Názv úlohy: Voltampérová charaktristika polovodičové diody a žárovky Jméno: Ptr Luzar Skupina: I II/1 Datum měřní: 14.listopadu 7 Obor: Informační

Více

Fyzikální podstata fotovoltaické přeměny solární energie

Fyzikální podstata fotovoltaické přeměny solární energie účinky a užití optického zářní yzikální podstata fotovoltaické přměny solární nri doc. In. Martin Libra, CSc., Čská změdělská univrzita v Praz a Jihočská univrzita v Čských Budějovicích, In. Vladislav

Více

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače Přsný výpočt tranzistorového zsilovač vychází z urční dvojbranových paramtrů tranzistoru a pokračuj sstavním matic obvodu a řšním této matic. Při použití vybraných rovnic z matmatických modlů pro programy

Více

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS VI. Odpor a lktrický proud Obsah 6 ODPOR A ELEKTRICKÝ PROUD 6.1 ELEKTRICKÝ PROUD 6.1.1 HUSTOTA PROUDU 3 6. OHMŮV ZÁKON 4 6.3 ELEKTRICKÁ ENERGIE A VÝKON 6 6.4 SHRNUTÍ 7 6.5 ŘEŠENÉ

Více

e C Ocenění za design Produktová řada PowerCube získala několik ocenění. Mezi nejvýznamnější

e C Ocenění za design Produktová řada PowerCube získala několik ocenění. Mezi nejvýznamnější porc b Po r r u b bu ur r Po Ocnění za dsign Produktová řada r získala několik ocnění. Mzi njvýznamnější řadím Rd Dot Dsign Aard. Uchytit kdkoliv Na stůl, pod stůl, na zď,... Jdnoduš kdkoliv mějt zásuvku

Více

PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA 1.1. GEOMETRICKÉ VLASTNOSTI BUDOVY 1.2. CHARAKTERISTIKA STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ

PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA 1.1. GEOMETRICKÉ VLASTNOSTI BUDOVY 1.2. CHARAKTERISTIKA STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA pro clkové zatplní panlového domu Běhounkova 2457-2462, Praha 5 Objkt má dvět nadzmní podlaží a jdno podlaží podzmní, částčně pod trénm. Objkt

Více

2 e W/(m2 K) (2 e) = 0.74 0.85 0.2 1 (1 0.85)(1 0.2) = 0.193. Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami

2 e W/(m2 K) (2 e) = 0.74 0.85 0.2 1 (1 0.85)(1 0.2) = 0.193. Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami Tplo skrz okna pracovní poznámky Jana Hollana Přnos okny s skládá z přnosu zářním, vdním a prouděním. Zářivý přnos Zářivý výkon E plochy S j dl Stfanova-Boltzmannova vyzařovacího zákona kd j misivita plochy

Více

STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA

STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA Martin Radina a, Ivo Schindlr a, Tomáš Kubina a, Ptr Bílovský a Karl Čmil b Eugniusz Hadasik c a) VŠB Tchnická univrzita Ostrava,

Více

Trivium z optiky 37. 6. Fotometrie

Trivium z optiky 37. 6. Fotometrie Trivium z optiky 37 6. Fotomtri V přdcházjící kapitol jsm uvdli, ž lktromagntické zářní (a tdy i světlo) přnáší nrgii. V této kapitol si ukážm, jakými vličinami j možno tnto přnos popsat a jak zohldnit

Více

FYZIKA 3. ROČNÍK. Nestacionární magnetické pole. Magnetický indukční tok. Elektromagnetická indukce. π Φ = 0. - magnetické pole, které se s časem mění

FYZIKA 3. ROČNÍK. Nestacionární magnetické pole. Magnetický indukční tok. Elektromagnetická indukce. π Φ = 0. - magnetické pole, které se s časem mění FYZKA 3. OČNÍK - magntické pol, ktré s s časm mění Vznik nstacionárního magntického pol: a) npohybující s vodič s časově proměnným proudm b) pohybující s vodič s proudm c) pohybující s prmanntní magnt

Více

ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4

ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4 ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4 Ptr Dourmashkin MIT 6, přklad: Vítězslav Kříha (7) Obsah SADA 4 ÚLOHA 1: LIDSKÝ KONDENZÁTO ÚLOHA : UDĚLEJTE SI KONDENZÁTO ÚLOHA 3: KONDENZÁTOY ÚLOHA 4: PĚT KÁTKÝCH

Více

Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích. Katedra fyziky. Modely atomu. Vypracovala: Berounová Zuzana M-F/SŠ

Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích. Katedra fyziky. Modely atomu. Vypracovala: Berounová Zuzana M-F/SŠ Jihočská univrzita v Čských Budějovicích Katdra fyziky Modly atomu Vypracovala: Brounová Zuzana M-F/SŠ Datum: 3. 5. 3 Modly atomu První kvalitativně správnou přdstavu o struktuř hmoty si vytvořili již

Více

základní pojmy základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie

základní pojmy základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie Tori v strojírnské tchnologii Ing. Oskar Zmčík, Ph.D. základní pojmy používaná rozdělní vztahy, dfinic výpočty základní pojmy žádnou součást ndokážm vyrobit s absolutní přsností při výrobě součásti dochází

Více

Úloha č. 11. H0 e. (4) tzv. Stefanův - Bo1tzmannův zákon a 2. H λ dλ (5)

Úloha č. 11. H0 e. (4) tzv. Stefanův - Bo1tzmannův zákon a 2. H λ dλ (5) pyromtrm - vrz 01 Úloha č. 11 Měřní tplotní vyzařovací charaktristiky wolframového vlákna žárovky optickým pyromtrm 1) Pomůcky: Měřicí zařízní obsahující zdroj lktrické nrgi, optický pyromtr a žárovku

Více

1. Okrajové podmínky pro tepeln technické výpo ty

1. Okrajové podmínky pro tepeln technické výpo ty 1. Okrajové podmínky pro tpln tchncké výpo ty Správné stanovní okrajových podmínk j jdnou z základních součástí jakéhokol tchnckého výpočtu. Výjmkou njsou an tplně tchncké analýzy. V násldující kaptol

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM

SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM Josf KONVIČNÝ Ing. Josf KONVIČNÝ, Čské dráhy, a. s., Tchnická ústřdna dopravní csty, skc lktrotchniky a nrgtiky, oddělní diagnostiky a provozních měřní, nám. Mickiwicz

Více

Demonstrace skládání barev

Demonstrace skládání barev Vltrh nápadů učitlů fyziky I Dmonstrac skládání barv DENĚK NAVRÁTIL Přírodovědcká fakulta MU Brno Úvod Studnti střdních škol si často stěžují na nzáživnost nzajímavost a matmatickou obtížnost výuky fyziky.

Více

Hodnocení tepelné bilance a evapotranspirace travního porostu metodou Bowenova poměru návod do praktika z produkční ekologie PřF JU

Hodnocení tepelné bilance a evapotranspirace travního porostu metodou Bowenova poměru návod do praktika z produkční ekologie PřF JU Hodnocní tlné bilanc a vaotransirac travního orostu mtodou Bownova oměru návod do raktika z rodukční kologi PřF JU Na základě starších i novějších matriálů uravil a řiravil Jakub Brom V Čských Budějovicích,

Více

Zadání témat. Řešení témat. Zadání úloh. Úloha 3.3 Baterie na β-radioaktivitu (5b) Téma5 Fontány. Téma 1 Pravidelné mnohostěny

Zadání témat. Řešení témat. Zadání úloh. Úloha 3.3 Baterie na β-radioaktivitu (5b) Téma5 Fontány. Téma 1 Pravidelné mnohostěny 2 Studntský matmaticko-fyzikální časopis ročník VIII číslo 3 Trmín odslání: 14. 1. 2002 Zadání témat Téma5 Fontány Podívjt s na obrázk, na ktrém j namalovaná fontána a vysvětlt, jak funguj. Odhadnět, do

Více

5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače (rozšířená osnova)

5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače (rozšířená osnova) Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 1 5. kapitola: Vysokofrkvnční zsilovač (rozšířná osnova) Čas k studiu: 6 hodin íl: Po prostudování této kapitoly budt umět dfinovat pracovní bod BJT a FET určit funkci VF

Více

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout.

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout. Etrém funkc 4. PRŮBĚH FUNKCE Průvodc studim V matmatic, al i v fzic a tchnických oborch s často vsktn požadavk na sstrojní grafu funkc K nakrslní grafu funkc lz dns většinou použít vhodný matmatický softwar.

Více

PENOS ENERGIE ELEKTROMAGNETICKÝM VLNNÍM

PENOS ENERGIE ELEKTROMAGNETICKÝM VLNNÍM PNO NRG LKTROMAGNTCKÝM VLNNÍM lktromagntické vlnní, stjn jako mchanické vlnní, j schopno pnášt nrgii Tuto nrgii popisujm pomocí tzv radiomtrických, rsp fotomtrických vliin Rozdlní vyplývá z jdnoduché úvahy:

Více

M ě ř e n í o d p o r u r e z i s t o r ů

M ě ř e n í o d p o r u r e z i s t o r ů M ě ř n í o d p o r u r z s t o r ů Ú k o l : Proměřt sadu rzstorů s nznámým odporm různým mtodam a porovnat přsnost jdnotlvých měřní P o t ř b y : Vz sznam v dskách u úlohy na pracovním stol Obcná část:

Více

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu - 1 - Tato Příloha 307 j součástí článku: ŠKORPÍK, Jří. Enrgtcké blanc lopatkových strojů, Transformační tchnolog, 2009-10. Brno: Jří Škorpík, [onln] pokračující zdroj, ISSN 1804-8293. Dostupné z http://www.transformacn-tchnolog.cz/nrgtckblanc-lopatkovych-stroju.html.

Více

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra mikroelektroniky SEMESTRÁLNÍ PROJEKT X34BPJ

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra mikroelektroniky SEMESTRÁLNÍ PROJEKT X34BPJ ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katdra mikrolktroniky SEESTRÁLNÍ PROJEKT X34PJ 0 Ptr Koukal X34PJ Pag ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katdra mikrolktroniky Optické

Více

28. Základy kvantové fyziky

28. Základy kvantové fyziky 8. Základy kvantové fyziky Kvantová fyzika vysvětluj fyzikální principy mikrosvěta. Mgasvět svět plant a hvězd Makrosvět svět v našm měřítku, pozorovatlný našimi smysly bz jakéhokoli zprostřdkování Mikrosvět

Více

Test studijních předpokladů. (c) 2008 Masarykova univerzita. Varianta 18

Test studijních předpokladů. (c) 2008 Masarykova univerzita. Varianta 18 Tst studijních přdpokladů (c) 2008 Masarykova univrzita Varianta 18 Vrbální myšlní 1 2 3 4 5 Čský výraz hodinu označuj délku trvání události a lz ho přidat k něktrým čským větám: např. Ptr psal dopis hodinu.

Více

H - Řízení technologického procesu logickými obvody

H - Řízení technologického procesu logickými obvody H - Řízní tchnologického procsu logickými ovody (Logické řízní) Tortický úvod Součástí řízní tchnologických procsů j i zjištění správné posloupnosti úkonů tchnologických oprcí rozhodování o dlším postupu

Více

INOVACE PŘEDNÁŠEK KURZU Fyzikální chemie, KCH/P401

INOVACE PŘEDNÁŠEK KURZU Fyzikální chemie, KCH/P401 Fakulta životního prostřdí v Ústí nad Labm INOVACE PŘEDNÁŠEK KURZU Fyzikální chmi, KCH/P401 - ZAVEDENÍ EXPERIMENTU DO PŘEDNÁŠEK Vypracovala Z. Kolská (prozatímní učbní txt, srpn 2012) K několika kapitolám

Více

(1) Známe-li u vyšetřovaného zdroje závislost spektrální emisivity M λ

(1) Známe-li u vyšetřovaného zdroje závislost spektrální emisivity M λ Učbní txt k přdnáš UFY Tplné zářní. Zářní absolutně črného tělsa Tplotní zářní a Plankův vyzařovaí zákon Intnzita vyzařování (misivita) v daném místě na povrhu zdroj j dfinována jako podíl zářivého toku

Více

Vývoj energetického hospodářství města Plzně

Vývoj energetického hospodářství města Plzně Magistrát města Plzně Odbor správy infrastruktury Vývoj hospodářství města Plzně Črvn 211 Vývoj nrgtické Vývojj nrgttiické hospodářsttvíí městta Pllzně Obsah 1. Úvod... 2 2. Enrgtika v ČR... 2 3. Enrgtické...

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

3.10. Magnetické vlastnosti látek

3.10. Magnetické vlastnosti látek 3.10. Magntické vlastnosti látk 1. Sznáit s s klasifikací látk podl charaktru intrakc s agntický pol. 2. Nastudovat zdroj agntického pol atou, ktré souvisí s pohyb lktronu v lktronové obalu atou. 3. Vysvětlit

Více

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_13_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077

Více

SilentPET. interiors. interiors

SilentPET. interiors. interiors intriors intriors Naším cílm j být vždy na vrcholu, být jdničkou v svém oboru a nabízt svým zákazníkům ty njkvalitnější služby. Jsm přsvědčni, ž pomocí této stratgi a plněním těch njpřísnějších požadavků

Více

7. Jaderná a ásticová fyzika

7. Jaderná a ásticová fyzika 7. Jadrná a ásticová fyzika 7.1 Základní vlastnosti atomových jadr 7.1.1 Složní atomových jadr V roc 1903 navrhl anglický fyzik J. J. Thomson první modl atomu, podl ktrého j v clém objmu atomu spojit rozložný

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

6 Elektronový spin. 6.1 Pojem spinu

6 Elektronový spin. 6.1 Pojem spinu 6 Elktronový spin Elktronový spin j vličina poněkud záhadná, vličina, ktrá nmá obdoby v klasickém svět. Do kvantové mchaniky s spin dostal jako xprimntální fakt: z řady xprimntů totiž vyplývalo, ž kromě

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Rentgenová strukturní analýza

Rentgenová strukturní analýza Rntgnová strukturní nlýz Příprvná část Objktm zájmu difrkční nlýzy jsou 3D priodicky uspořádné struktury (krystly), n ktrých dochází k rozptylu dopdjícího zářní. Díky intrfrnci rozptýlných vln vzniká difrkční

Více

INSTITUT FYZIKY VŠB-TU OSTRAVA NÁZEV PRÁCE

INSTITUT FYZIKY VŠB-TU OSTRAVA NÁZEV PRÁCE Studnt Skupina/Osob. číslo INSTITUT FYZIKY VŠB-TU OSTRAVA NÁZEV PRÁCE 5. Měřní ěrného náboj lktronu Číslo prác 5 Datu Spolupracoval Podpis studnta: Cíl ěřní: Pozorování stopy lktronů v baňc s zřděný plyn

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

1. Určíme definiční obor funkce, její nulové body a intervaly, v nichž je funkce kladná nebo záporná.

1. Určíme definiční obor funkce, její nulové body a intervaly, v nichž je funkce kladná nebo záporná. Matmatika I část II Graf funkc.. Graf funkc Výklad Chcm-li určit graf funkc můžm vužít přdchozích znalostí a určit vlastnosti funkc ktré shrnm do níž uvdných bodů. Můž s stát ž funkc něktrou z vlastností

Více

Stanovení koncentrace složky v roztoku potenciometrickým měřením

Stanovení koncentrace složky v roztoku potenciometrickým měřením Laboratorní úloha B/1 Stanovní koncntrac složky v roztoku potnciomtrickým měřním Úkol: A. Stanovt potnciomtrickým měřním koncntraci H 2 SO 4 v dodaném vzorku roztoku. Zjistět potnciomtrickým měřním body

Více

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE DIPLOMOVÁ PRÁCE. 2008 Bc. Pavel Hájek

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE DIPLOMOVÁ PRÁCE. 2008 Bc. Pavel Hájek ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE DIPLOMOVÁ PRÁCE 8 Bc. Pavl Hájk ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta stavbní, Katdra spciální godézi Názv diplomové prác: Vbudování, zaměřní a výpočt bodového

Více

Často kladené dotazy. téma dotaz KA datum publikování Výukové objekty. odpověď

Často kladené dotazy. téma dotaz KA datum publikování Výukové objekty. odpověď téma dotaz KA datum publikování objkty Hldám náměty pro využití tabltů v oblasti Člověka příroda na základní škol. Můžt mi poradit? "co už mám" odpověď Často kladné dotazy 30.6.2015 V hodinách vzdělávací

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění

Více

ZPRAVODAJSTVÍ. Newsletter ISSUE N 04 ÚNOR 2009 STRANA 2 & 4 NOVINKY Z BRUSELU STRANA 3 & 5 ČESKÉ PŘEDSEDNICTVÍ A ZLÍNSKÝ KRAJ

ZPRAVODAJSTVÍ. Newsletter ISSUE N 04 ÚNOR 2009 STRANA 2 & 4 NOVINKY Z BRUSELU STRANA 3 & 5 ČESKÉ PŘEDSEDNICTVÍ A ZLÍNSKÝ KRAJ SPECIÁLNĚ ZAMĚŘENO NA PŮLROK ČESKÉHO PŘEDSEDNICTVÍ ZPRAVODAJSTVÍ STRANA 2 & 4 NOVINKY Z BRUSELU Několik akcí dostalo Zlínský kraj v Bruslu na scénu! Na jdn týdn si události připravné zastoupním monopolizovali

Více

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění Vlv prostupů tpla mz byty na spravdlvost rozúčtování nákladů na vytápění Anotac Fnanční částky úhrady za vytápění mz srovnatlným byty rozpočítané frmam používajícím poměrové ndkátory crtfkované podl norm

Více

Myšlenkové mapy. pro děti. Efektivní učení. Tony Buzan. a Jo Godfrey Wood

Myšlenkové mapy. pro děti. Efektivní učení. Tony Buzan. a Jo Godfrey Wood Mšlnkové map pro děti Efktivní uční Ton Buzan a Jo Godfr Wood BizBooks Brno 2014 Mšlnkové map pro děti Efktivní uční Ton Buzan Přklad: Zdněk Mužík Odpovědná rdaktorka: Martina Skovajsová Tchnický rdaktor:

Více

Postup tvorby studijní opory

Postup tvorby studijní opory Postup tvorby studijní opory RNDr. Jindřich Vaněk, Ph.D. Klíčová slova: Studijní opora, distanční studium, kurz, modl řízní vztahů dat, fáz tvorby kurzu, modl modulu Anotac: Při přípravě a vlastní tvorbě

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Stanovení koncentrace Ca 2+ a tvrdost vody

Stanovení koncentrace Ca 2+ a tvrdost vody Laboratorní úloha B/4 Stanovní koncntrac Ca 2+ a tvrdost vody Úkol: A. Stanovt koncntraci iontů Ca 2+ v mg/l v vzorku a určt tvrdost vody. Pomocí indikátoru a barvného přchodu stanovt bod kvivalnc (hodnota

Více

Tepelné soustavy v budovách - Výpočet tepelného výkonu ČSN EN 12 831 Ing. Petr Horák, Ph.D.

Tepelné soustavy v budovách - Výpočet tepelného výkonu ČSN EN 12 831 Ing. Petr Horák, Ph.D. Tplné soustavy v budovách - Výpočt tplného výkonu ČSN EN 12 831 Ing. Ptr Horák, Ph.D. Platnost normy ČSN 060210 - Výpočt tplných ztrát budov při ústřdním vytápění Pozbyla platnost 1.9 2008. ČSN EN 12 831

Více

Informatika teorie. Vladimír Hradecký

Informatika teorie. Vladimír Hradecký Informatika teorie Vladimír Hradecký Z historie vývoje počítačů První počítač v podobě elektrického stroje v době 2.sv. války název ENIAC v USA elektronky velikost několik místností Vývoj počítačů elektronky

Více

Zákazové značky. Název, význam a užití. Zákaz vjezdu všech vozidel v obou směrech. Zákaz vjezdu všech vozidel

Zákazové značky. Název, význam a užití. Zákaz vjezdu všech vozidel v obou směrech. Zákaz vjezdu všech vozidel Příloha č. 3 k vyhlášc č. 294/2015 Sb. Zákazové značky Číslo Bl Vyobrazní o Zákaz vjzdu všch vozidl v obou směrch Značka zakazuj vjzd všm druhům vozidl. B2 B3 B4 Zákaz vjzdu všch vozidl Značka zakazuj

Více

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.

Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9. Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska 3. Maturitní otázka Počítač, jeho komponenty a periferní zařízení (principy fungování, digitální záznam informací, propojení počítače s dalšími (digitálními) zařízeními) Počítač je elektronické zařízení,

Více

b) nevodiče izolanty nevedou el. proud plasty, umělé hmoty, sklo, keramika, kámen, suché dřevo,papír, textil

b) nevodiče izolanty nevedou el. proud plasty, umělé hmoty, sklo, keramika, kámen, suché dřevo,papír, textil VEDENÍ EL. PROUDU V PEVNÝCH LÁTKÁCH 1) Látky dělíme (podle toho, zda jimi může procházet el.proud) na: a) vodiče = vedou el. proud kovy (měď, hliník, zlato, stříbro,wolfram, cín, zinek) uhlík, tuha b)

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Více

REGULACE. Rozvětvené regulační obvody. rozvětvené regulační obvody dvoupolohová regulace regulační schémata typických technologických aparátů

REGULACE. Rozvětvené regulační obvody. rozvětvené regulační obvody dvoupolohová regulace regulační schémata typických technologických aparátů REGULACE (pokračování 2) rozvětvné rgulační obvody dvoupolohová rgulac rgulační schémata typických tchnologických aparátů Rozvětvné rgulační obvody dopřdná rgulac obvod s měřním poruchy obvod s pomocnou

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Vážení spoluobèané, Další Sucholazecký zpravodaj vyjde v prosinci 2015, posílejte námìty, podklady. strana 28. srpen 2015

Vážení spoluobèané, Další Sucholazecký zpravodaj vyjde v prosinci 2015, posílejte námìty, podklady. strana 28. srpen 2015 davdsign - SL zpravodaj str 28., 1. srpn 2015 h é La z h é La z pøhody pro hod a znaèkami. Ukázková byla také žlzni s pøjzdm a závorami. Dìti si na vlastnoruènì vyrobnýh pøibližovadlh, jako auth, kolh,

Více

Osobní počítač. Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011

Osobní počítač. Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011 Osobní počítač Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011 Charakteristika PC Osobní počítač (personal computer - PC) je nástroj člověka pro zpracovávání informací Vyznačuje se schopností samostatně pracovat

Více

Rady mě sta Frýdku- Místku

Rady mě sta Frýdku- Místku ZPRAVODAJ Rady mě sta Frýdku- Místku Dubn 2008 č. 8 Ročník XVIII. Náklad 25 000 Zdarma do všch schránk Město má nabídku na fotbalový arál Tak už j to oficiálně na stol. Spolčnost ArclorMittal Frýdk-Místk,

Více

SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaiser, Emil Košťál xkaiserj@feld.cvut.cz

SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaiser, Emil Košťál xkaiserj@feld.cvut.cz SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaisr, Emil Košťál xkaisrj@fld.cvut.cz ČVUT, Fakulta lktrotchnická, katdra Radiolktroniky Tchnická 2, 166 27 Praha 6 1. Úvod Článk s

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II.

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Ústav fyziky a měřicí techniky Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Výrobci, specializované technologie a aplikace Obsah

Více

Vyvážené nastavení PI regulátorù

Vyvážené nastavení PI regulátorù Vyvážné nastavní PI rgulátorù doc. Ptr Klán, Ústav informatiky AV ÈR Praha a Univrzita Pardubic, Prof. Raymond Gorz, Cntr for Systms Enginring and Applid Mchanics, Univrsity d Louvain PI nbo PID rgulátory

Více

Ing. Ondrej Panák, ondrej.panak@upce.cz Katedra polygrafie a fotofyziky, Fakulta chemicko-technologická, Univerzita Pardubice

Ing. Ondrej Panák, ondrej.panak@upce.cz Katedra polygrafie a fotofyziky, Fakulta chemicko-technologická, Univerzita Pardubice 1 ěřní barvnosti studijní matriál Ing. Ondrj Panák, ondrj.panak@upc.cz Katdra polygrafi a fotofyziky, Fakulta chmicko-tchnologická, Univrzita Pardubic Úvod Abychom mohli či už subjktivně nbo objktivně

Více

VARIFLEX. 0,25 až 4 kw. www.enika.cz

VARIFLEX. 0,25 až 4 kw. www.enika.cz www.nika.cz ENIK, spol. s r.o., Nádražní 609, 509 01 Nová Paka, zch Rpublic, Tl.: +420 493 773 311, Fax: +420 493 773 322, E-mail: nika@nika.cz, www.nika.cz VRIFLEX FREKVENČNÍ MĚNIČE 0,25 až 4 kw Frkvnční

Více

DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 1 / 30 DRÄGER MOBILE PRINTER. DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 2 / 30

DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 1 / 30 DRÄGER MOBILE PRINTER. DRÄGER SAFETY Dräger Mobile Printer October 2006 2 / 30 October 2006 1 / 30 DRÄGER MOBILE PRINTER October 2006 2 / 30 Vlastnosti I Uživatelsky přívětivá obsluha dovoluje používat bez zvláštních nároků na vyškolení a zamezuje vzniku chyb při provozu. Rychlá

Více

VT 261 www.whirlpool.com

VT 261 www.whirlpool.com VT 261.hirlpool.com CZ 1 INSTALACE PŘED PŘIPOJENÍM ZKONTROLUJTE, ZDA NAPĚTÍ na typovém štítku odpovídá napětí v vaší domácnosti. NESNÍMEJTE KRYTY VSTUPU MIKROVLN umístěné na vnitřní boční straně trouby.

Více

Architektura Intel Atom

Architektura Intel Atom Architektura Intel Atom Štěpán Sojka 5. prosince 2008 1 Úvod Hlavní rysem Atomu je podpora platformy x86, která umožňuje spouštět a běžně používat řadu let vyvíjené aplikace, na které jsou uživatelé zvyklí

Více

Nanotechnologie. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 29. 5. 2013. Ročník: devátý

Nanotechnologie. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 29. 5. 2013. Ročník: devátý Nanotechnologie Autor: Mgr. Stanislava Bubíková Datum (období) tvorby: 29. 5. 2013 Ročník: devátý Vzdělávací oblast: Člověk a příroda / Chemie / Chemie a společnost 1 Anotace: Žáci se seznámí s nanotechnologiemi.

Více

Elektrický proud. Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů

Elektrický proud. Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů Elektrický proud Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů Vodivé kapaliny : Usměrněný pohyb iontů Ionizované plyny: Usměrněný pohyb iontů

Více

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru jsou používány

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

jaro 2016 udrzitelný rozvoj Máme pouze jednu planetu

jaro 2016 udrzitelný rozvoj Máme pouze jednu planetu aro 2016 schválno udrzitlný roz schválno Mám pouz dnu plantu 26 obsah 10 20 Spolčnská odpovědnost firm 36 37 Stro, ktré rozuměí lidm inovac Fotovisions... 4 Správa budov Tchnická správa budov vstoupila

Více

Vozítko na solární pohon. Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7

Vozítko na solární pohon. Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7 Vozítko na solární pohon Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7 Krátký souhrn projektu: Náš tým věří, že perspektiva lidstva leží v obnovitelných zdrojích. Proto jsme se rozhodli

Více

Elektřina a magnetizmus závěrečný test

Elektřina a magnetizmus závěrečný test DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-20 Téma: závěrečný test Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: TEST - A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník TEST Elektřina a magnetizmus závěrečný

Více

Aplikace VAR ocenění tržních rizik

Aplikace VAR ocenění tržních rizik Aplkac VAR ocnění tržních rzk Obsah: Zdroj rzka :... 2 Řízní tržního rzka... 2 Měřní tržního rzka... 3 Modly... 4 Postup výpočtu... 7 Nastavní modlu a gnrování Mont-Carlo scénářů... 7 Vlčny vyjadřující

Více

ELEKTROLÝZA. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 13. 3. 2012. Ročník: osmý

ELEKTROLÝZA. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 13. 3. 2012. Ročník: osmý Autor: Mgr. Stanislava Bubíková ELEKTROLÝZA Datum (období) tvorby: 13. 3. 2012 Ročník: osmý Vzdělávací oblast: Člověk a příroda / Chemie / Chemické reakce 1 Anotace: Žáci se seznámí s elektrolýzou. V rámci

Více

Rady mě sta Frýdku- Místku

Rady mě sta Frýdku- Místku ZPRAVODAJ Rady mě sta Frýdku- Místku Květn 2007 č. 9 Ročník XVII. Náklad 25 000 Zdarma do všch schránk Lískovcký most nbud uzavřn Doprava v městě Frýdku- -Místku j dlouholtým problémm. Na výstavbu obchvatu

Více

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

Kapitola 2. Bohrova teorie atomu vodíku

Kapitola 2. Bohrova teorie atomu vodíku Kapitola - - Kapitola Bohrova tori atomu vodíku Obsah:. Klasické modly atomu. Spktrum atomu vodíku.3 Bohrův modl atomu vodíku. Frack-Hrtzův pokus Litratura: [] BEISER A. Úvod do modrí fyziky [] HORÁK Z.,

Více

Nařízení č. 01/CZ/11. členů představenstva X-Trade Brokers DM S.A. z 12. ledna 2011

Nařízení č. 01/CZ/11. členů představenstva X-Trade Brokers DM S.A. z 12. ledna 2011 Nařízní č. 01/CZ/11 člnů přdstavnstva X-Trad Brokrs DM S.A. z 12. ldna 2011 V souladu s ustanovními v Obchodních podmínkách o poskytování zprostřdkovatlských služb a provádění příkazů při obchodování s

Více